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효율적 Embedding을 위한 SMIL Processor의 설계 및 개발
장동옥(D.-O. Jang),강미연(M.-Y. Kang),정원호(W.-H. Chung),이은철(E.-C. Kim),김도완(D. Kim),김종대(J.D. Kim),김윤수(Y.S. Kim) 한국정보과학회 1999 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.26 No.2Ⅱ
XML 언어로 설계된 SMIL(Synchronized Multimedia Integration Language)은 멀티미디어 객체들의 순차적 혹은 병렬적 동기화를 효율적으로 할 수 있는 마크업 언어로써, web을 이용한 원격 강의나 홍보 등을 더욱 생성하고 dynamic하게 보여줄 수 있어, 그 사용이 확대될 전망이다. 본 논문에서는 각종 웹 단말기에 손쉽게 embedding될 수 있는 SMIL 프로세서에 대한 설계가 제안된다. 웹 응용을 위해, 속도의 개선과 시스템 독립적인 function들로 구성되는 parser와 응용에 적합한 API의 설계에 주안점을 두었으며, 추후 XML parser function들과 API 설계를 위해 가능한 적은 수정을 통하여 재사용이 가능하도록 하는데 또한 주안점을 두고 있다.
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Electrochromic 막의 특성과 물질이동 방지막의 효과에 대한 연구
황하룡(H. R. Hwang),백지흠(J. H. Paik),허증수(J. S. Huh),이덕동(D. D. Lee),임정옥(J. O. Lim),장동식(D. S. Jang) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.3
졸겔법 및 진공증착법으로 WO₃ 및 V₂O_5 박막을 제조하고, 리튬이온을 이용하여 전기변색 소자를 제작한 후 광학적 특성을 조사하였다. 측정결과 졸겔법으로 제조된 WO₃ 박막과 V₂O_5 박막을 수증기 분위기에서 500℃로 1시간 열처리한 경우 가장 우수한 투과율 변화량을 나타내었다. 정ㆍ역방향 동작을 거듭할수록 WO₃ 막의 텅스텐과 ITO막의 인듐이 상호 확산하는 것을 관찰할 수 있었으며, 이를 방지하기 위해 수백 Å의 텅스텐 박막을 ITO와 WO₃막 사이에 삽입한 결과, cyclic voltamogram의 peak의 감소량이 1/10 이하로 감소하였으며, 리튬이온의 흐름에 의한 인듐과 텅스텐의 이 동을 효과적으로 방지할 수 있었다. After manufacturing the electrochromic device (structure: ITO glass/WO₃/electrolyte/V₂O_5/ITO glass) by using of sol-gel process and evaporation, optical properties and migration effect were investigated. The result shows that electrochromic device with heat treated (at water vapor ambient, 500℃, 1 hour) sol-gel coated WO₃ and V₂O_5 films had the highest transmittance variance. Electrochromic devices are based on the reversible insertion of guest atoms into structure of the host solid. But after cyclic operation, we find that the tungsten in WO₃ film and the indium in ITO film were migrated with each other. For the purpose of blocking migration, tungsten barrier film is inserted between ITO and WO₃ film. The result of cyclic voltamogram and the Auger depth profile show that the peak separation of cyclic voltamogram is reduced to below 1/10 and we could effectively block the indium and tungsten migration that is caused by flow of Li ions.
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