오버레이 멀티캐스트 트리구성을 위한 변형된 Dijkstra 알고리즘

이형옥 전남대학교 대학원 2008 국내석사

화상 회의, 인터넷 방송 등의 실시간 응용 시스템을 위해 오버레이 멀티캐스트 트리가 충족 시켜야 하는 조건은 크게 두 가지이다. 첫 번째는 호스트, 즉 트리 상의 노드의 차수가 적절한 상한이어야 한다는 것이다. 트리 상의 특정 노드의 차수가 지나치게 높다는 것은, 그 사용자가 접속하고 있는 네트워크 상의 링크로 동시에 많은 데이터를 보내 주어야 하기 때문에 대역폭의 한계로 인해 각각의 이웃 사용자에 대한 전송 속도가 떨어지고, 패킷 손실률이 증가한다는 것을 의미한다. 두 번째 조건은, 멀티캐스트 트리의 지름, 즉 트리 상의 경로 거리로 볼 때 가장 먼 두 사용자 간의 거리가 작아야 한다는 것이다. 두 사용자 간의 트리 상의 경로 거리가 길면 두 사용자 간에 데이터를 보낼 때의 지연 시간이 커지기 때문에, 화상 회의와 같은 응용 시스템에 적합하지 않게 된다. 각 노드의 차수가 상한을 가지고 있을 때 지름이 최소인 트리를 구성하는 문제는 NP-complete 문제로 알려져 있다. 본 논문에서는 다익스트라 알고리즘의 Cost값을 오버레이 멀티캐스트 트리를 구성하는 노드들의 가용대역폭과 이웃노드들과의 Delay, 그리고 요구대역폭을 체크한 후, 제안하는 Score Function을 적용하여 계산한다. 그리고 그 값을 다익스트라 알고리즘에 적용하여 트리를 구성하게 된다. Conditions that overlay multi cast tree must satisfy for real-time application system of a video-conference, an internet broadcasting is two things. First, a degree of nodes in tree must be proper value. That degree of some node in a tree is high means that the node must send many data at the same time to links in the network that the user is connecting. So, transmission speed drops to each neighborhood user by limit of the bandwidth, and the packet-loss rate increases. Second, diameter of multicast tree, distance between longest two users should be short. If path between two users in the tree is long, the delay time in data transmission between two users great. So, it is not suitable to the application system such as video-conferences. In this paper, the cost of the dijkstra algorithm calculate with proposed score-function through checking the extra bandwidth, the delay and the requested bandwidth. It is composed the tree through the dijkstra algorithm.

찹쌀죽 및 새우젓 添加가 김치 熟成中 遊離아미노산 Ascorbic acid 및 Vitamin C의 含量變化에 미치는 影響

이형옥 高麗大學校 1988 국내석사

자동 ΔV_(FB) 측정장치를 이용한 MNOS 구조의 비휘발성 기억특성에 관한 연구

이형옥 광운대학교 대학원 1993 국내박사

산화막의 두께가 23Å이며 질화막의 두께가 각각 53OÅ, 1000Å인 커패시터형 UNOS 소자를 제작하여 질화막의 두께변화에 따른 전자주입특성, 전자방출특성, 기억유지특성, 그리고 열화특성을 비교분석하여 비휘발성 기억소자로의 응용가능성을 조사하였다. 모든 측정은 자동ΔV_(FB) 측정장치를 설계 및 제작하여 사용하므로써 MNOS 기억소자의 비휘발성 기억특성을 비교적 정확하게 측정할 수 있음을 확인하였다. 인가 펄스크기에 대한 플랫밴드전압의 변화가 선형적으로 증가하는 영역(d_N)=530Å; V_(P)≤28V, d_(N)=1000Å; V_(P)≤52V)에서는 전자가 실리콘으로 부터 기억트랩으로 주입되는 산화막 전류가, 포화영역에서는 트랩된 전자의 질화막내 이동으로 인한 질화막 전류가 우세하다. 기억트랩밀도는 질화막의 두께가 530Å, 1000Å인 소자에서 각각 2.01 × 10^(16) m^(-2), 1.82 × 10^(16) m^(-2) 이고, 이탈진동수는 9.58 × 10^(-9) s^(-1), 1.61 × 10^(-14) s^(-1) 이다. 전자가 주입되는 산화막 전계는 질화막 두께가 530Å 인 소자에서 4.86 × 10^(8) V/m이며, 1000Å인 소자에서는 5.17 × 10^(8) V/m 로 질화막 두께가 얇은 소자가 두꺼운 소자보다 낮은 산화막 전계(E_(OX)=9.09 × 10^(8) V/m)에서 플랫밴드전압의 변화량이 포화된다. 산화막 전계에 대한 전자의 산화막 터널확률은 높은 전계에서 보다 낮은 전계에서 산화막의 두께 의존성이 크며, 질화막의 비유전율이 클 수록 인가 펄스크기에 대한 터널확률과 플랫밴드전압의 변화량이 현저하게 증가하였다. 전자주입특성에서 포화가 시작되는 전압은 인가 펄스크기와 펄스폭에 크게 의존하지만 기억트랩의 초기 트랩된 전자의 양과는 무관하였고, 펄스크기가 비교적 낮은 영역(d_(N)=53OÅ; V_(P)≤24V, d_(N)=1000Å; V_(P)≤46V) 에서는 질화막 두께에 관계없이 온도 의존성은 나타나지 않았으나, 질화막 두께가 1000Å인 소자는 온도(T≥323K)와 펄스크기가 높은 영역에서 포화현상을 나타내다가 Poole-Frenkel전류 성분이 우세함에 따라 플랫밴드전압의 변화량이 감소하였다. 소거동작은 트랩되어 있던 전자의 방출이 주도적이나, 실온 이상의 온도영역에서는 실리콘으로 부터 소수캐리어인 정공주입이 동시에 일어나는 것으로 관측되었으며, 기록시보다 10^(3)배 이상 긴 펄스폭을 필요로 하였다. 기억유지특성은 전자의 주입조건과 트랩된 전자의 유지조건에 관계없이 시간이 경과함에 따라 대수함수적으로 감소하였다. 전자주입후 10^(4) sec까지 측정한 트랩된 전자의 유지율은 V_(FB)유지인 경우 질화막 두께가 530Å인 소자에서 93.1%, 1000Å인 소자에서 90.05%이며, OV유지인 경우는 각각 78.95%, 73.05%로 질화막 두께에 관계없이 V_(FB) 유지인 상태가 OV로 유지한 상태보다 우수하다. 또한 유지조건에 관계없이 질화막 두께가 얇은 소자쪽이 두꺼운 소자보다 기억유지특성이 우수하게 나타났다. 전자주입 10 sec후의 초기감쇠율은 V_(FB)유지인 경우 질화막 두께가 530Å인 소자에서 0.025 %/sec, 1000Å인 소자에서 0.026 %/sec, OV유지인 경우는 질화막 두께에 관계없이 0.2 %/sec 이었다. 트랩된 전자의 감쇠는 질화막 두께에 관계없이 V_(FB)유지인 경우는 게이트를 통한 외부방출이 우세하며, 펄스폭이 짧고 펄스크기가 낮을 수록 감쇠율이 낮다. 그러나 OV유지에서는 실리콘쪽으로의 역터널링으로 인한 감쇠가 주도적이었으며, 펄스폭이 길고 펄스크기가 높을 수록 감쇠율은 낮다. 온도가 상승함에 따라 트랩된 전자의 유지율은 7%로 감소하여 기억유지특성이 악화되었으며, 이때 직접터널링으로 인한 감쇠보다 열적여기로 인한 감쇠가 우세하게 나타났다. 고온 바이어스 스트레스회수가 증가함에 따라 인가 펄스크기에 따른 플랫밴드전압의 변화는 질화막의 두께가 530Å인 소자에서 7.98V에서 5.09V, 1000Å인 소자에서 7.80V에서 4.05V로 각각 열화되었으며, 트랩된 전자의 유지율은 열화전 초기상태보다 더욱 감소하였다. Nonvolatile memory characteristics of electron injection, electron emission, memory retention, and degradation were investigated by using capacitor type MNOS devices fabricated with 530Å and 1000Å silicon nitride film thickness. The results were analyzed for the applicability of nonvolatile memory devices. Precise measures of nonvolatile memory characteristics of the MNOS devices were Performed by using a homemade automatic ΔV_(FB) measuring system. The oxide current were dominated in the region of linear increase(d_(N)= 530Å; V_(P) ≤ 28V, d_(N)= 1000Å; V_(P)≤52V), whereas the silicon nitride current were dominated in the saturation region due to the shift of flatband voltage with applied pulse amplitudes. The memory trap density and the attempted escape frequency were 2.01 × 10^(16) m^(-2), 9.58×10^(-9) s^(-1) in the silicon nitride of 530Å thickness, and 1.82 × 10^(16) m^(-2), 1.61 × 10^(-14) s^(-1) in the silicon nitride of 1000Å thickness, respectively. The oxide field of injecting electron was 4.86 × 10^(8) V/m in the silicon nitride of 53OÅ thickness and 5.17 × 10^(8) V/m in the silicon nitride of 1000Å thickness and the shift of flatband voltage was saturated in the lower oxide field in the device of a thin silicon nitride film than that of a thick silicon nitride film. Oxide tunnel probabilities of the electrons in the oxide field were largely dependent upon the oxide film thickness in the low field rather than in the high field, and the tunnel probability and the flatband voltage shift with applied pulse amplitude was noticeably increased for the specially higher relative dielectric constant of silicon nitride. In the electron injection characteristics the initial voltage of the first saturation was largely dependent upon both the applied pulse amplitude and the pulse width, but the initial voltage was independent of the amount of the initial trapped electrons in the memory trap. In the comparatively lower region (d_(N)=53OÅ; V_(P)≤24V, d_(N)= 1000Å; V_(P)≤46V) of pulse amplitude the shift of flatband voltage was independent of the temperatures regardless of the silicon nitride thickness, but in the high region of both the temperatures and the pulse amplitude the shift of flatband voltage decreased due to the increasing Poole-Frenkel current components after saturation. In the erased behavior, the trapped electron emission was dominated and the hole injection of minority carrier from silicon was however observed in the above the room temperature, and the long pulse width of over 10^(3) times than the written state was required. The memory retention characteristics were logarithmically decreased with the time regardless of injection condition of electrons and the retention condition of the trapped electron. The retention rate of the trapped electron at 10^(4) sec after electron injection, in case of V_(FB) retention, was 93.1% in the silicon nitride thickness of 53OÅ, 90.05% in the silicon nitride thickness of 1000Å, and in case of zero voltage retention, was 78.95% in the former, 73.05% in the latter. The memory retention characteristics of thin silicon nitride thickness were appeared to be more excellent than those of thick silicon nitride thickness regardness of retention conditions. The initial decay rate at 10 sec after electron injection, in case of V_(FB) retention, was 0.025%/sec in the silicon nitride thickness of 530Å, 0.026%/sec in the silicon nitride thickness of 1000Å, and the initial decay rate at 10 sec after electron injection, in case of zero voltage retention, was 0.2%/sec regardness of silicon nitride thickness. The decay of the trapped electrons in case of V_(FB) retention was dominated by the external emission through the gate and the decay rate was decreased for both the shorter pulse width and the lower pulse amplitude. But in case of zero voltage condition, the decay by back tunneling to silicon was dominated and the decay rate was decreased for both the longer pulse width and the higher pulse amplitude. At the higher temperatures the retention rate of the trapped electrons was decreased by 7%, which showed that the decay rate was dominated by thermal excitation than direct tunneling. At increasing the number of the bias temperature stress, the shift of flatband voltage with the applied pulse amplitude was degraded from 7.98V to 5.09V in the silicon nitride thickness of 530Å and was degraded from 7.80V to 4.05V in the silicon nitride thickness of 1000Å, and the retention rate of the trapped electrons was more decreased than in the nonstress state.

포유동물 조직간의 미토콘드리아 RNA 비교 연구

이형옥 숙명여자대학교 1987 국내석사

돼지 조직 ( 간, 뇌, 지라 ) 의 미토콘드리아로 부터 추출한 DNA를 denaturing gel electrophoresis를 통하여 비교하였다. 각 조직의 미토콘드리아 RNA 총수 및 분자량에 차이가 있음을 관찰하였다. Formaldehyde를 함유한 composite gel 에서 각 조직의 미토콘드리아 DNA의 분자량 범위는 20,000 에서 1,600,000 사이로 비교적 유사하게 나타났다. 각 조직의 미토콘드리아 RNA band 수는 간 조직에서 6 - 9, 뇌 조직에서 7 - 10, 지라 조직에서 5 - 7로 나타났다. 각 조직의 미토콘드리아 RNA hand 수 및 분자량 차이의 원인은 아직 밝혀지지 않았다. The mitochondrial RNAs have been compared among 3 pig tissues, liver, brain and spleen on composite gel using 2.2 M formaldehyde as denaturing agent. Total number of RNA bands was varied: 6 - 9 in liver, 7 - 10 in brain, 5 - 7 in spleen. Molecular weight of RNAs was ranged from 20.000 to 1.600.000, which was similar hut not identical in 3 tissues observed. The significance of the variation is not known at present time.

초등학교 재량활동을 위한 식물 가꾸기 프로그램 개발

이형옥 진주교육대학교 교육대학원 2004 국내석사

그레이큐브의 고장 지름

이형옥 전남대학교 1996 국내석사

본 논문에서는 최근에 [주94]에 제시된 그레이큐브의 고장 지름(fault diameter)을 분석한다. 상호 연결망의 고장 지름은 연결망을 평가하기 위한 중요한 척도중 하나로서 노드들이 고장인 경우 노드들 사이의 최장거리를 나타낸다. 2^n개의 노드를 가지는 n-차원 그레이큐브의 고장 지름이 [(n+1)/2]+2, (n≥3)임을 보인다. 이는 노드들이 고장인 환경에서도 노드들 사이의 최장거리가 단지 상수 요소밖에 증가하지 않음을 나타낸다. 이 결과를 널리 알려진 하이퍼큐브에서의 고장 지름과 비교하면 노드 고장인 환경에서도 메시지의 최장 전달 거리가 하이퍼큐브의 그것에 비해 약 절반 정도임을 보이고 있다. In this thesis, we analyze the fault diameter of Gray cube proposed recently in [J94]. Fault diameter of an interconnection network is one of the important network measures concerning the distance between nodes when some nodes fail. It is showed that the fault diameter of n-dimensional Gray cube having 2^n nodes is [(n+l)/2]+2, (n≥3). It means the increment of the longest distance between nodes under node-failure is only constant factor. Comparing the result with the fault diameter of well-known hypercube, the longest routing distance of a message in a Gray cube under node-failure is about the half of that of hypercube.

P2P 오버레이 멀티캐스트 기반 콘텐츠 전송 네트워크에 관한 연구

이형옥 전남대학교 대학원 2015 국내박사

The traffic in the wired and wireless networks has increased exponentially because of increase of smart phone and improvement of PC performance. Multimedia services and file transmission such as Facebook, Youtube occupy a large part of the traffic. The amount of content is increasing with various consumer requirements such as high quality, high bandwidth and N-screen services. Various techniques that guarantee low-cost and high-efficiency content traffic without quality degradation in diverse network environments have been proposed. CDN is a technique that duplicates the contents on a remote web server of content provider to local CDN servers near clients and chooses the optimal CDN server for providing the content to the client in the event of a content request. In this paper, the content request message between CDN servers and the client used the SCRP algorithm utilizing the MST algorithm and the traffic throughput was optimized. The average response time for the content request is reduced by employing HC_LRU cache algorithm that improves the cache hit ratio. The proposed SCRP and HC_LRU algorithm may build a scalable content delivery network system that efficiently utilizes network resources, achieves traffic localization and prevents bottlenecks. 스마트폰의 증가와 PC 성능 향상으로 유무선 통신망에 트래픽이 폭발적으로 증가하고 있다. 여기에는 페이스북, 유투브와 같은 멀티미디어 서비스와 파일 공유가 큰 부분을 차지하고 있다. 고품질은 기본이고, 높은 대역폭과 N-screen 서비스 등 다양한 소비자의 요구사항에 따라 생성되는 콘텐츠의 양은 갈수록 늘어나고 있으며, 다양한 네트워크 환경에 있어서도 품질 저하 없이 저비용 고효율로 콘텐츠 트래픽을 유통시킬 수 있는 여러 기술들이 제시되고 있다. CDN(Content Delivery Network)은 원거리에 있는 콘텐츠 사업자의 웹 서버에 저장된 콘텐츠를 이용자 근처 CDN 서버에 미리 저장, 콘텐츠 요구 발생 시 최적의 CDN 서버로부터 콘텐츠를 제공하는 콘텐츠 전송 기술이다. 본 논문에서는 콘텐츠 요청 메시지 전달에 Minimum Spanning Tree(MST) 알고리즘을 응용한 SCRP(Shortest Core Routing Path) 알고리즘을 사용해 CDN 서버와 클라이언트의 콘텐츠 전달에 이용되는 전체 트래픽 양을 최적화하였다. 또한 HC_LRU 캐시 알고리즘을 통해 캐시 적중률을 향상시킴으로써 콘텐츠 요청에 대한 평균 응답시간을 단축시켰다. 제안한 SCRP와 HC_LRU 알고리즘을 통해 트래픽을 지역화하고 병목현상을 방지하여 네트워크 자원을 효율적으로 사용하는 확장성 있는 콘텐츠 전송 네트워크 시스템을 구축할 수 있다.

Fibonacci sequences modulom

이형옥 이화여자대학교 교육대학원 1983 국내석사

구체물 조작 중심의 교수-학습 활동을 통한 분수 개념 이해 및 표현에 관한 연구 : 초등학교 4학년을 중심으로

이형옥 한국교원대학교 1999 국내석사

행렬 연산에 기반한 상호 연결망의 설계

이형옥 전남대학교 대학원 1999 국내박사

본 논문에서는 고성능의 계산능력을 얻기 위해 여러 개의 처리기를 사용하여 병렬적으로 작업을 수행하는 병렬 컴퓨터의 성능 및 시스템의 확장성을 개선할 수 있는 새로운 상호 연결망을 제시하고 분석한다. 상호 연결망의 중요 척도중 하나는 망비용이고, 상호 연결망의 망 비용은 그 연결망의 분지수와 지름의 곱으로 정의된다. 본 논문에서는 상호 연결망으로 널리 알려진 스타(star) 그래프의 망 비용을 개선한 행렬 스타 그래프를 제안한다. 행렬 스타 그래프는 노드를 표현할 때 기존의 벡터 방식을 사용하지 않고 행렬 형태로 노드를 표현하고, 에지는 행렬을 변환하는 행렬 연산으로 정의한다. 제안된 행렬 스타 그래프의 분지수, 연결도, 확장성, 대칭성, 라우팅, 지름, 방송 및 임베딩 등을 분석할 수 있는데, 행렬 스타 그래프 MS_(2,n)은 같은 수의 노드를 갖는 스타 그래프 S_(2n)보다 분지수는 절반 정도이고, 스타 그래프가 갖는 노드 대칭적인 성질, 최대 고장 허용도 및 재귀적 구조 등의 특성을 갖는 상호 연결망이다. 망 비용에 있어서 행렬 스타 그래프 MS_(2,n)과 스타 그래프 S_(2n)은 대략 3.5n²과 6n²으로 행렬 스타 그래프 MS_(2,n)이 스타 그래프 S_(2n)보다 상수 배만큼 향상된 값을 갖는다. 또한 임베딩 관점에 있어서는 스타 그래프 S_(2n)과 Bubblesort 그래프 B_(2n)을 행렬 스타 그래프에 연장비율 5, 확장비율 1, 그리고 Transposition 그래프 T_(2n)을 연장비율 7, 확장비율 1에 임베딩하는 방법을 제시한다. 이러한 임베딩 방법의 평균 연장 비율은 스타 그래프 S_(2n)은 3 이하, Bubblesort 그래프 B_(2n)은 4 이하이다. 이러한 임베딩 결과를 이용하면 스타 그래프와 Bubblesort 그래프에서 개발된 알고리즘을 행렬 스타 그래프에서 상수의 적은 비용으로 시뮬레이션 할 수 있다. 행렬 스타 그래프 MS_(2,n)의 노드를 나타내는 2×n 행렬을 k×n 행렬과 k×n×p 배열로 확장하여 행렬 스타 그래프를 일반화한 MS_(k,n)과 MS_(k,n,p)를 제시하고, 노드 연결도, 재귀적 성질, 지름 및 라우팅 알고리즘을 분석한다(2≤k,p≤n). 행렬 스타 그래프 MS_(k,k)(k=√n)와 같은 수의 노드를 갖는 스타 그래프 S_n의 망 비용을 비교하면 행렬 스타 그래프 MS_(k,k)(k=√n)는 O(n^(1.5))이고, 스타 그래프 S_n은 O(n²)이다. 행렬 스타 그래프의 노드를 3-차원 배열로 표현한 MS_(k,k,k)(k=3√n²)는 같은 수의 노드를 갖는 스타 그래프 S_n²보다 망 비용에 있어서 O(n * 3√n)정도 향상된 결과를 갖는다. 또한 스타 그래프의 망 비용이 가장 개선된 Macro-Star 그래프 MS(n.n)와 행렬 스타 그래프 MS_(k,k,k)(k=3√n²)을 망 비용 관점에서 비교하면 MS(n.n)은 O(n³)이고, 행렬 스타 그래프 MS_(k,k,k)(k=3√n²) O(n^(2.7))으로 행렬 스타 그래프 MS_(k,k,k)(k=3√n²) O(3√n) 정도 개선된 결과를 갖는다. In this thesis, we propose and analyze a new interconnection network which improves both the performance and scalability of parallel computers, where a number of jobs are executed in parallel with multiple processors to get a computer of high performance. One of the important interconnection network measures is the network cost. The network cost of an interconnection network is defined as the product of the degree and diameter of the network. In this thesis, we propose a matrix star graph which improves the network cost of the well-known star graph as an interconnection network. The matrix star graph represents nodes as a matrix form, rather than a vector form. And it defines edges as operations converting matrix. We analyze its characteristics in terms of the network parameters, such as degree, connectivity, scalability, symmetry, routing, diameter, broadcasting, and embedding. The proposed matrix star graph MS_(2,n) has the half degrees of a star graph S_(2n) with the same number of nodes and is an interconnection network with the properties of node symmetry, maximum fault tolerance, and recursive structure, which a star graph also has. In network cost, a matrix star graph MS_(2,n) and a star graph S_(2n) are each about 3.5 n²and 6 n², which means that the former has a better value by a certain constant than the latter has. Also, in terms of the embedding, we describe a method to embed a star graph S_(2n) and a bubblesort graph B_(2n) into a matrix star graph MS_(2,n) with unit expansion and dilation 5, and a transposition graph T_(2n) into it with expansion 1 and dilation 7. The average dilation of the star graph S_(2n) is smaller than 3 and the bubblesort graph B_(2n) is smaller than 4. Such embedding results enable a matrix star graph to simulate an algorithm developed in a star graph and a bubblesort graph with constant cost. In addition, we propose MS_(k,n) and MS_(k,n,p) generalizing a matrix star graph by extending 2 ×n matrix representing the nodes of a matrix star graph MS_(2,n) into k ×n matrix and k ×n ×p matrix, and analyze node connectivity, recursive property, diameter and routing algorithm(2≤k, p≤n). When we compare the network cost of a matrix star graph MS_(k,k)(k=√n) with that of a star graph S_n with the sanem number of nodes, the former has O(n√n) while the latter has O(n²). MS_(p,p,p,) (p=3√n²) representing the nodes of the matrix star as 3-dimensional array has more improved result by a factor of O(n * 3√n) than a star graph S_n² in terms of network cost. Also, when we compare the network cost of a matrix star graph MS_(p,p,p)(p=3√n²) with that of a Macro-Star graph MS(n,n), which has most improved network cost of a star graph, the former has O(n^(2.7)) while the latter has O(n³), and so the former has a more improved result by a factor of O(3√n).