RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      검색결과 좁혀 보기

      선택해제
      • 좁혀본 항목 보기순서

        • 원문유무
        • 원문제공처
          펼치기
        • 등재정보
          펼치기
        • 학술지명
          펼치기
        • 주제분류
          펼치기
        • 발행연도
          펼치기
        • 작성언어
        • 저자
          펼치기

      오늘 본 자료

      • 오늘 본 자료가 없습니다.
      더보기
      • 무료
      • 기관 내 무료
      • 유료
      • SCOPUSKCI등재

        트렌티 식각시 식각 방지막의 형성과 이들이 결함 생성에 미치는 영향

        이주욱,김상기,김종대,구진근,이정용,남기수,Lee, Ju-Wook,Kim, Sang-Gi,Kim, Jong-Dae,Koo, Jin-Gon,Lee, Jeong-Yong,Nam, Kee-Soo 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.7

        HBr을 이용한 트렌치 식각시 식각 방지막의 형성과 이들이 결함 생성 및 분포에 미치는 영향을 고분해능 투과전자현미경을 이용하여 연구하였다. $O_2$ 및 다른 첨가 가스로 $SiO_xF_y$, $SiO_xBr_y$ 등의 식각 방지막을 표면에 형성시켜 벽면 undercut을 방지하고 표면의 거칠기를 감소할 수 있었으며, 이후의 트렌치 채움 공정에서 void 가 없는 잘 채원진 구조를 얻을 수 있었다. 형성된 식각 방지막은 격자 결함의 생성 및 이들의 분포에 영향을 미쳤다. 대부분의 식각 유도 결함들은 트렌치 바닥의 가장자리에서 $10\AA$ 이내의 깊이로 분포하였으며, 잔류막의 두께에 의존하였다. 두꺼운 잔류막층 아래로는 결함들이 거의 사라졌으며, 결함층의 깊이와 잔류막 두께는 대체로 반비례하는 것을 나타났다. 기판 내에 존재하는 결정학적인 결함들은 식각종의 입사각이나 에너지에 의존하는 반면에,식각된 표면에서 관찰되는 결함들은 트렌치 식각동안 형성되는 이러한 잔류막의 두께에 크게 의존하는 것으로 나타났다. A well- shaped trench was investigated in view of the defect distribution along trench sidewall and bottom using high resolution transmission electron microscopy. The trench was formed by HBr plasma and additive gases in magnetically enhanced reactive ion etching system. Adding $0_2$ and other additive gases into HBr plasma makes it possible to eliminate sidewall undercut and lower surface roughness by forming the passivation layer of lateral etching, resulted in the well filled trench with oxide and polysilicon by subsequent deposition. The passivation layer of lateral etching was mainly composed of $SiO_xF_y$ $SiO_xBr_y$ confirmed by chemical analysis. It also affects the generation and distribution of lattice defects. Most of etch induced defects were found in the edge region of the trench bottom within the depth of 10$\AA$. They are generally decreased with the thickness of residue layer and almost disappeared below the uni¬formly thick residue layer. While the formation of crystalline defects in silicon substrate mainly depends on the incident angle and energy of etch species, the region of surface defects on the thickness of residue layer formed during trench etching.

      • KCI등재

        캠핑장 안전사고 ‘대비 행동 매뉴얼’의 체계화 방안

        이주욱,김윤상,한동수 한국디지털정책학회 2018 디지털융복합연구 Vol.16 No.2

        This study is to organize the manual for the safety accidents in campsite. For this, analyzing the types of safety accidents and reviewing the regulations of campsite. Through theoretical considerations, the problem was diagnosed and the elements of improvement were presented. Eventually, part of the Responsive and Preventative Behavior manuals were developed to organize ‘Preparation Behavior Manual’. Especially, examples of safety accident prevention behavior manual were divided into: 1st, suffocation, 2nd, traffic accident, 3rd, fire, 4th, and electrical accident. “S.A.F.E.”, An example, was created with the accident specific initials that were more frequently caused. Furthermore, it was emphasized that it is necessary to process of understood by the user. Subsequent studies recommended the study of cases, improvement of safety management indicators, and the specialization of campground manager and safety guard. 본 연구는 캠핑장 안전사고에 대비한 행동 매뉴얼을 체계화하기 위한 연구다. 이를 위해 안전사고의 유형을 분석하고, 캠핑장 관련 법규 및 안전 기준을 검토했다. 이론적 검토를 통해서 문제점을 진단하고 등록기준 개선의 요소를 제시했다. 결국 '대비 행동 매뉴얼'의 체계화를 위해 예방 행동 매뉴얼과 대응 행동 매뉴얼의 일부를 개발했다. 구체적으로 살펴보면 안전사고 예방 행동 매뉴얼의 예는 첫째, 질식, 둘째, 교통사고, 셋째, 화재, 넷째, 전기사고로 구분했다. 사고 발생 빈도가 높은 사고별 이니셜로 “S.A.F.E.”라는 구체적 행동 매뉴얼의 사례를 만들었다. 이에 세부적인 사항을 제시함으로써 사용자 입장에서 체계적 개발을 위한 구체적인 안을 제시했다. 또한, 안전사고 유형별 예방 행동과 대응 행동의 매뉴얼을 게시하는 것에 그치지 않고, 사용자가 숙지했다는 확인과정이 필요함을 강조했다. 후속연구로는 캠핑장 안전과 관련된 사례연구, 안전관리 지표 개선, 캠핑장 관리자 및 안전요원의 전문성에 대한 연구를 제언했다.

      • KCI등재후보

        생태독성평가를 위한 미역(Undaria pinnatifida) 암배우체 생존율 및 상대성장률의 환경조건 연구

        이주욱,박윤호,심보람,전형주,허 승,황운기 (사)한국해양생명과학회 2022 한국해양생명과학회지 Vol.7 No.2

        미역(Undaria pinnatifida) 포자를 사용한 생태독성 시험법은 연중 상시 이용하기에 어렵다. 미역의 암배우체는 실험실에서 배양할 수 있기 때문에, 포자의 단점을 보완하고 상시 생태독성 시험에 사용할 수 있다. 따라서 미역의 암배우체를 생태독성 시험에 활용하기 위해 다양한 환경조건에 노출된 미역의 암배우체 생존율과 상대성장률의 변화를 분석하였다. 미역 암배우체는 염분(5~40 psu), 온도(5~30℃), pH (2~10), 광량(0~120 μmol photon m-2 s-1)에 노출되었다. 암배우체의 생존율은 최고 평균값을 기준으로 온도 20℃, 염분 27.5 psu, pH 8, 광량 30 μmol photon m-2 s-1에서 가장 높았다. 상대성장률은 최고 평균값을 기준으로 온도 15℃, 염문 35 psu, pH 9, 광량 60 μmol photon m-2 s-1에서 가장 높았다. 본 연구결과를 통해 미역 암배우체의 생존율과상대성장률을 활용하여 연안환경을 상시 신속하게 평가하기 위한 효율적인 방법으로 활용이기대된다.

      • KCI등재후보

        트렌치 표면에서의 RIE 식각 손상 회복

        이주욱,김상기,배윤규,구진근 한국진공학회 2004 Applied Science and Convergence Technology Vol.13 No.3

        A damage-reduced trench was investigated in view of the defect distribution along trench sidewall and bottom using high resolution transmission electron microscopy, which was formed by HBr plasma and additive gases in magnetically enhanced reactive ion etching system. Adding $O_2$ and other additive gases into HBr plasma makes it possible to eliminate sidewall undercut and lower surface roughness by forming the passivation layer of lateral etching. To reduce the RIE induced damage and obtain the fine shape trench corner rounding, we investigated the hydrogen annealing effect after trench formation. Silicon atomic migration on trench surfaces using high temperature hydrogen annealing was observed with atomic scale view. Migrated atoms on crystal surfaces formed specific crystal planes such as (111), (113) low index planes, instead of fully rounded comers to reduce the overall surface energy. We could observe the buildup of migrated atoms against the oxide mask, which originated from the surface migration of silicon atoms. Using this hydrogen annealing, more uniform thermal oxide could be grown on trench surfaces, suitable for the improvement of oxide breakdown. 트렌치 소자 제조시 게이트 산화막 성장과 내압 강하의 원인이 되는 식각손상 회복과 코너 영역의 구조를 개선하기 위해 수소 분위기 열처리를 하였다. 열처리시 수소 원자에 의한 환원 반응을 이용하여 표면 에너지가 높은 코너 영역에서는 원자들의 이동에 의한 결정면 재배열, 산화막 측벽에서의 실리콘 원자 적층, 표면 거칠기의 개선 효과 등을 전자현미경 관찰을 통해 확인하였다. 실리콘 원자의 이동을 방해하는 식각 후 잔류 산화막을 수소 가스의 환원성 분위기에서 열처리함으로써 표면 에너지를 낮추는 방향으로 원자의 이동이 일어나 concave 영역, 즉 트렌치 bottom corner에서는 (111), (311) 결정면 재분포 현상이 일어남을 확인할 수 있었다. 또한 convex comer에서의 원자 이동으로 인해 corner 영역에서는 (1111) 면의 step 들이 존재하게 되고 원자 이동에 의해 산화막 측벽에 이르러 이동된 원자의 적층이 일어나며, 이는 열처리시 표면 손상 회복이 원자이동에 의함을 나타낸다. 이러한 적층은 표면 상태가 깨끗할수록 정합성을 띄어 기판과 일치하는 에피 특성을 나타내고 열처리 온도가 높을수록 표면 세정 효과가 커져 식각손상 회복효과가 커지며, 이를 이용하여 이후의 산화막 성장시 균일한 두께를 코너영역에서 얻을 수 있었다

      • KCI등재
      • KCI등재후보

        해산 규조류(Skeletonema costatum)의 개체군 성장률 분석을 이용한 신방오도료(Irgarol, Diuron)의 독성평가

        이주욱,최훈,박윤호,이승민,최윤석,허승,황운기 (사)한국해양생명과학회 2020 한국해양생명과학회지 Vol.5 No.1

        We evaluated the toxic effects of antifouling paint (irgarol and diuron) on the population growth rate (r ) of the marine diatom, Skeletonema costatum. The r of S. costatum was determined after 96 hrs of exposure to irgarol (0, 0.31, 0.63, 1.25, 2.5 and 5 μg l-1) and diuron (0, 7.81, 15.63, 31.25, 62.5 and 125 μg l-1). It was observed that r in the control (absence of irgarol and diuron) were greater than 0.04, while r in the treatment groups decreased with increasing irgarol and diuron concentrations. Irgarol and diuron reduced r in a dose-dependent manner with significant decreases occurring at concentrations above 0.63 and 15.63 μg l-1, respectively. The EC50 values of r in irgarol and diuron exposure were 1.09 and 45.45 μg l-1. No observed effect concentration (NOEC) were 0.31 and 7.81 μg l-1, the lowest observed effect concentration (LOEC) were 0.63 and 15.63 μg l-1. This result indicate that a concentration of greater than 0.63 μg l-1 of irgarol and 15.63 μg l-1 of diuron in marine ecosystems induced to decreasing r of S. costatum. Also, these toxic values can be useful as a baseline data for the toxic evaluation of irgarol and diuron in marine ecosystems.

      연관 검색어 추천

      이 검색어로 많이 본 자료

      활용도 높은 자료

      해외이동버튼