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옥내 마이크로셀 개인휴대통신 시스템의 채널할당과 핸드오버를 위한 High quality reassignment 방식
오준환,홍대형 대한전자공학회 1996 전자공학회논문지-A Vol.33 No.2
In this paper, we studied channel assignment and handover schemes for the indoor microcell systems. For efficient frequency spectrum reuse we proposed the high quality reassignment (HQR) scheme. Proposed HQR scheme tries to keep the reuse distances small by monitoring C/I of channels being used. To assign a channel for a new or handove call, the scheme checks C/I of all available channels. Then HQR assigns the channel that has C/I near the threshold value, A_TH. The scheme also checks C/I of ongoing calls and continuously reassigns a new channel when needed. It attempts handover not only when C/I gets below a handover threshold value, HO_TH, but also when C/I becomes above a high quality reassignment threshold, H_TH. The performance of the proposed HQR scheme was analyzed by a computer simulation configuraed. The performance of the scheme was also analyzed for various threshold values selected and the results are presented in this paper. The results show that HQR scheme perfomrs better than the scheme adopted for DECT.
오준환 한국경영교육학회 2013 경영교육연구 Vol.28 No.1
This paper highlights the issues related to the application of fair value concept into the valuation techniques for intangibles, as the IFRS emphasizes the measurement attributes of fair value. Although the valuation techniques for intangibles share the fundamentals of accounting measurement and valuation, their approach is mainly based on the present value by economics and finance, rather than the historical cost by accounting. In this regard, the present study analyzes IFRS' fair value measurements for intangibles. The analysis shows that the recognition and measurement principles of IFRS can be utilized to select and apply the valuation techniques for intangibles. Since the intangibles have characteristics of relatively high risk and uncertainty in the timing and amount of future cash flows, it is appropriate to discount the expected cash flows by risk free rates, instead of discounting the future cash flows by risk adjusted rates. This study also suggests the procedures and practical guidelines for the discounted cash flow methods. The present value has a negative aspect of unreliable and subjective measurement, but at the same time it has a positive aspect of active and relevant reporting. The fair value, as one of measurement attributes, resolves the discrepancies between book value and market value, providing the valuation professions with the opportunities of harmonizing the historical cost and fair value to enhance information usefulness. As the intangibles get the attention in the knowledge based business environment, this study's analysis of IFRS' fair value approach to intangible assets is expected to provide the educational and practical tools for the selection, application, and improvements of valuation techniques. 본 논문은 IFRS의 채택에 따라 회계측정의 속성으로 중요시되고 있는 공정가치의 개념을 무형자산의 가치평가기법에 적용하여 관련 논점을 조명한다. 무형자산의 가치평가기법은 측정 및 평가라는 회계의 기본개념을 공유하고 있지만, 역사적원가 보다는 경제학 및 재무관리의 현재가치평가에 바탕을 두고 있다. 본 논문은 IFRS의 공정가치 접근법에 따른 무형자산의 공정가치 측정 및 평가기법을 분석한다. 분석결과는 IFRS의 공정가치 인식 및 측정 원칙을 무형자산에 대한 가치평가기법의 선택 및 적용에 활용될 수 있음을 나타내고 있다. 무형자산은 미래 현금흐름의 금액과 시기에 관한 위험과 불확실성이 다른 자산보다 상대적으로 더 크기 때문에, 현재가치측정에서 위험과 불확실성을 할인율에 반영하는 할인율조정법보다 위험과 불확실성을 현금흐름에 반영하고 무위험이자율로 할인하는 기대현금흐름법이 더 적합할 수 있음도 나타내고 있다. 본 연구는 기대현금흐름법의 적용에 필요한 실무적 관점의 방법, 절차 및 실용지침도 제시한다. 무형자산의 현재가치측정은 신뢰성, 분식회계 등과 관련하여 측정요소의 주관성이 갖는 부정적 측면과 함께 무형자산의 적극적 인식 및 평가라는 긍정적 측면도 있다. 측정속성 중 하나인 공정가치는 회계의 역사적 원가가 갖고 있는 장부금액과 시장가치의 괴리현상을 해소하여 정보유용성 관점의 가치평가와 조화를 가져올 것으로 기대된다. 지식기반의 기업환경에서 중요시 되는 무형자산을 대상으로 IFRS의 공정가치 및 현재가치 측정원칙을 분석한 본 연구는 무형자산의 평가, 관리 및 거래에 필요한 가치평가기법의 선택, 적용 및 개선에 기여할 뿐 아니라 실무 및 교육적 활용도 기대된다.
Cu seed layer 표면의 플라즈마 전처리가 Cu 전기도금 공정에 미치는 효과에 관한 연구
오준환,이성욱,이종무,O, Jun-Hwan,Lee, Seong-Uk,Lee, Jong-Mu 한국재료학회 2001 한국재료학회지 Vol.11 No.9
Electroplating is an attractive alternative deposition method for copper with the need for a conformal and conductive seed layer In addition, the Cu seed layer should be highly pure so as not to compromise the effective resistivity of the filled copper interconnect structure. This seed layer requires low electrical resistivity, low levels of impurities, smooth interface, good adhesion to the barrier metal and low thickness concurrent with coherence for ensuring void-free fill. The electrical conductivity of the surface plays an important role in formation of initial Cu nuclei, Cu nucleation is much easier on the substrate with higher electrical conductivities. It is also known that the nucleation processes of Cu are very sensitive to surface condition. In this study, copper seed layers deposited by magnetron sputtering onto a tantalum nitride barrier layer were used for electroplating copper in the forward pulsed mode. Prior to electroplating a copper film, the Cu seed layer was cleaned by plasma H$_2$ and $N_2$. In the plasma treatment exposure tome was varied from 1 to 20 min and plasma power from 20 to 140W. Effects of plasma pretreatment to Cu seed/Tantalum nitride (TaN)/borophosphosilicate glass (BPSG) samples on electroplating of copper (Cu) films were investigated.
Cu와 Si간의 확산방지막으로서의 Ti-Si-N에 관한 연구
오준환,이종무,O, Jun-Hwan,Lee, Jong-Mu 한국재료학회 2001 한국재료학회지 Vol.11 No.3
본 실험에서는 반응성 스퍼터링법으로 $N_2$/Ar 유속비를 달리하여 약 200 과 650 두께의 비정질 Ti-Si-N막을 증착한 후 Cu (750 )와 Si사이의 barrier 특성을 면저항측정, XRD, SEM, RBS 그리고 Ti-Si-N막에서 질소 함량의 영향에 초점을 둔 ABS depth profiling 등의 분석방법을 통해 조사되었다. 질소 함량이 증가함에 따라 처음에는 불량 온도가 46%까지 증가하다가 그 이상에서는 감소하는 경향을 보였다. 650 의 Ti-Si-N barrier막을 80$0^{\circ}C$에서 열처리 후에는 Cu$_3$Si 피크만 관찰될 뿐 Cu피크는 거의 완전히 사라졌으므로 Barrier 불량기구는 Cu$_3$Si상을 형성하기 위해 Si 기판내로의 Cu의 확산에 의해 일어난 것으로 보인다. 본 실험에서 Ti-Si-N의 최적 조성은 $Ti_{29}$Si$_{25}$N$_{46}$이었다. 200 과 650 두께의 $Ti_{29}$Si$_{25}$N$_{46}$ barrier 층의 불량온도는 각각 $650^{\circ}C$와 $700^{\circ}C$이었다.이었다. Amorphous Ti-Si-N films of approximately 200 and 650 thickness were reactively sputtered on Si wafers using a dc magnetron sputtering system at various $N_2$/Ar flow ratios. Their barrier properties between Cu (750 ) and Si were investigated by using sheet resistance measurements, XRD, SEM, RBS, and AES depth profiling focused on the effect of the nitrogen content in Ti-Si-N thin film on the Ti-Si-N barrier properties. As the nitrogen content increases, first the failure temperature tends to increase up to 46 % and then decrease. Barrier failure seems to occur by the diffusion of Cu into the Si substrate to form Cu$_3$Si, since no other X- ray diffraction intensity peak (for example, that for titanium silicide) than Cu and Cu$_3$Si Peaks appears up to 80$0^{\circ}C$. The optimal composition of Ti-Si-N in this study is $Ti_{29}$Si$_{25}$N$_{46}$. The failure temperatures of the $Ti_{29}$Si$_{25}$N$_{465}$ barrier layers 200 and 650 thick are 650 and $700^{\circ}C$, respectively.ely.