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김태경,김제국,권대한 대한국토·도시계획학회 2007 國土計劃 Vol.42 No.3
김태경김제국권대한48적인 방법들이 논의되기 시작하였고 , 2000년 1월 28일 「도시계획법」의 일부개정(제46조)에 의해 도시지역에 한하여 개발행위허가제도가 최초로 도입되었으며 , 2002년 「국토의 계획 및 이용에 관한 법률 」(이하 「국토계획법」) 제정을 통해 비도시지역에도 적용되게 되었다. 개발행위허가제도가 도입된 이후 전국의 개발행위허가 건수와 면적이 꾸준히 늘어나고 있는데, 2000-2005년간 건수는 195%, 면적은 172% 증가하였으며, 동 기간동안 51,698건, 145,7백만㎡의 개발이 허가되었다 . 지역별로 경기도가 2005년 기준 6,115건, 31.5백만㎡로 각각 전체의 30.7%, 36.1%의 비중을 차지하고 있다. 그 외 혁신도시 , 행정복합도시 등의 지정에 앞서 당해지역에서 많은 개발행위가 일어났으며, 지정 후에는 주변지역의 개발행위가 급증하는 추세이다 .개발행위허가제는 개 별적인 개발행위에 대하여 도시계획 차원의 타당성 , 기반시설의 공급 여부, 주변의 환경 및 경관과의 조화 등을 검토하여 허가 여부를 결정하는 제도로서 특성상 지방정부에게 매우 큰 재량권을 부여하는 등 제도의 특성상 운용에 있어서 고도의 전문성이 요구된다. 특히, 개발행위허가제는 도시기본계획 등의 계획제도와 용도지역제 등의 계획수단과 연계하여 법적 기준에 의해서만 이루어지던 도시계획행정의 한계를 보완하기 위한 제도로서 법적 기준 외에 계획 , 지침, 조례 등 각종 제도적 수단을 활용하여 운용할 때 그 실효성이 담보될 수 있다 .그러나 지자체의 행정관청에 주어진 재량권은 추상적인 기준과 주변환경 , 타 법과의 관계에 따른 복잡성으로 운용하는 데 있어 많은 부작용을 야기해 왔으며 , 그 동안의 도시계획 행정의 관행과 지방정부의 인력운용의 한계에 따라 계획, 지침, 조례 등의 개발행위허가제 운용을 위한 지원제도가 활성화되어 있지 못하여 개발행위허가제의 실효성에 대한 비판이 제기되고 많은 민원을 발생시키고 있다 . 본 연구는 개발행위허가제 운용상의 문제점과 보완과제를 도출하고 , 이에 대한 체계적인 대응방안을 모색하는 데 목적을 두고 있다 . 기존의 연구들과는 달리 각 지방정부 행정청의 개발행위허가 담당 일선 공무원을 대상으로 개발행위허가제도의 문제 점들을 실증적으로 분석하였으며, 이를 통해 해결방안을 모색하였다.본 연구의 분석에서 다루는 사항들은 세부적인 문제점들이지만, 각각의 문제점들에 대한 세부적인 해답을 구하기보다는 전체적인 시스템 측면에서 근본적으로 개선되어야 할 사항에 초점을 맞추고 있다 . 이는 향후 세부적인 사항에 대한 개선방안을 제시하는 연구들의 좋은 길잡이 역할을 할 수 있을 것으로 기대된다.
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‘사회주의 전면발전론’과 김정은 정권 중장기 국가전략: 개혁개방기 중국 장기 발전전략의 비교적 시각
김태경 서울대학교 한국정치연구소 2023 韓國 政治 硏究 Vol.32 No.1
This paper explores the Kim Jong Un regime’s discourse on socialism in fullscale development from the comparative perspective of China’s long-term national development goals in the Reform Era. North Korea revived “complete victory of socialism” and “building of communism” as the party’s immediate goals by revising Party Rules in 2021. Furthermore, it established mid- to long-term roadmaps for a powerful socialist state in “around 15 years” and a “20-30 deadline” after the 2021 Party Congress. Since the term of "full-scale development of socialism” first appeared at the Party Congress, the idea has developed to link with the discourse of “Three Revolutions,” which is North Korea’s essential policy line of socialist construction. Through comparison with Xi Jinping regime, which justified the full-scale socialist modernization stage and the strengthened party-state leadership in the backdrop of the 'New Era', this paper highlights the implications of the changes in the national development vision and strategy in the Kim Jong Un regime. 본 연구는 최근 김정은 정권의 ‘사회주의 전면발전론’의 시간적 차원에 주목하면서 특히 개혁개방기 중국의 장기 발전목표의 비교적 시각에서 북한의 사회발전단계론 및 국가전략 변화를 탐색한다. 2021년 8차 당대회 당규약 개정을 통해 북한은 ‘사회주의완전승리’와 ‘공산주의건설’을 당의 당면목표로 부활시키는 한편, “15년 안팎”, “20~30년 기한부”의 사회주의 강국건설에 대한 중장기 로드맵을확립하며 새로운 국가발전 비전을 제시했다. 2021년 8차 당대회에서 ‘사회주의의전면적 발전’ 용어가 처음 등장한 이후 2021년 말 제5차 3대혁명선구자대회를 계기로 사회주의건설 총노선인 3대혁명 노선과 결합한 사회주의의 전면적 발전 (개념)은 당규약에 복원된 사회주의-공산주의건설의 중장기적 시야에서 사회주의강국건설을 위한 새로운 국가전략의 일환으로 이해된다. 본 연구는 ‘신시대’를 배경으로 전면적 사회주의 현대화 단계와 당-국가 통일영도를 정당화하는 중국의비교적 관점에서 김정은 정권의 국가전략 변화의 함의를 탐색한다.
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램프 스캐닝 열처리에 의한 다결정 실리콘 박막의 형성 및 TFT 제작에 관한 연구
김태경,김기범,이병일,주승기,Kim, Tae-Kyung,Kim, Gi-Bum,Lee, Byung-Il,Joo, Seung-Ki 대한전자공학회 1999 電子工學會論文誌, D Vol.d36 No.1
유리기판 위에 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)를 형성하기 위해서 램프 Scanning 열처리 장치를 개발하였다. 선형 램프를 Scanning 함으로써 대면적 유리기판에의 적용 가능성을 높였으며 TFT의 채널 부분은 금속 유도 측면 결정화 방법에 의해 결정화 시켰다. 할로겐 램프에 의한 빛은 투명 유리기판은 가열시키지 않고 ,island 행태의 실리콘 박막만을 가열시킬 수 있었다. 실리콘 산화막으로 이루어진 Capping layer를 적용하였고 이때의 성장 속도는 Capping layer가 없는 경우보다 35배 정도로 빠른 MILC 성장 속도를 나타내었다. 할로겐 램프를 약 1.4mm/sec의 속도록 Scanning한 경우 유리기판의 손상 없이 18-27${\mu}m/scan$ 정도의 결정화를 나타내었다. 이와 같이 제작된 다결정 실리콘 박막으로 제작된 TFT는 전자이동도 130$cm^2/V{\cdot}sec$의 우수한 특성을 나타내었다. Polycrystaline thin film transistors are fabricated on the transparent glass substrate by a lamp-scan annealing. The line-shaped lamp scanning method, which is profitable for large area process, effectively radiated silicon film on glass substrate. Amorphous silion film absorbs the light which is emitted from halogen-lamp and it transformed into crystalline silicon by metal-induced lateral crystallization. In order to enhance the annealing effect, capping layer was deposited on the whole substrate. When the scan speed was 1-2mm/sec, lateral crystallization of amorphous silicon under capping layer was 18~27${\mu}m/scan$. The thin film transistor fabricated by this method shows high electron mobility over 130$cm^2/V{\cdot}sec$
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금속 유도 측면 결정화에 의해 유리기판 위에 제작된 저온(45$0^{\circ}C$) 다결정 박막 트랜지스터에 관한 연구
김태경,인태형,이병일,주승기 대한전자공학회 1998 電子工學會論文誌, D Vol.d35 No.5
Poly-Si TFT's could be fabricated on glass substrates by metal induced lateral crystallization (MILC) method at 450.deg. C. Channel area of the poly-Si TFT's was laterally crystallized from source and drain areas, where a thn nickel film was deposited. Dopants activation for the formation of source and drain region could be achieved by thermal annealing at 450.deg. C after the ion mass doping of phosphorus. The field effect mobility of thus formed N-channel poly-Si TFT's was 76cm$^{2}$/Vs, and the on/off current ratio was higher than 7E6.
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