외부감시인이 무형자산성지출과 기업성과간의 관련성에 미치는 영향

권오섭(Kwon, Oh-Seob),박선영(Park, Sun-Young) 대한경영학회 2012 大韓經營學會誌 Vol.25 No.9

멀티스펙트럴 센서 자료융합을 통한 하이퍼 스펙트럴센서 자료의 정확도 개선에 관한 연구

권오섭(Oh-Seob Kwon),김성수(Sung-Soo Kim),백선양(Sun-Yang Baek) 대한공간정보학회 2014 한국지형공간정보학회 학술대회 Vol.2014 No.5

항공영상DSM을 이용한 도시변화탐지에 관한 연구

권오섭(Kwon, Oh Seob),김성수(Kim, Sung Soo),이두형(Lee, Du Hyeong) 대한공간정보학회 2011 한국공간정보학회 학술대회 Vol.2011 No.10

변화탐지는 항공영상 또는 위성영상을 이용하여 과거의 정보와 현재의 정보를 비교 하고, 여기서 얻어지는 변화정보를 택지개발, 신도시개발, 재해예방 등 중앙부처 및 공공기관 등의 국가정책 수립과정에 신속히 제공하여 활용하는 체계이다. 도시변화탐지는 변화가 빈번하고 기존의 방법으로는 탐지가 난해한 도심지역을 중심으로 변화를 탐지하여 도시계획과 관리에 활용하는 것으로, 본 연구에서는 항공영상을 기반으로 제작된 DSM을 이용하여 도시변화를 탐지하는 실증 실험을 수행하였다. 한편, 변화탐지 결과의 활용성과 정확성을 개선하기 위해 유관기관에서는 그동안 위성영상을 기반으로 수행하던 것을 항공영상 기반으로 전환하는 방안이 검토되고 있어 본 연구는 시기적으로 큰 의미가 있다. 실험대상지역은 전라남도 00시 일원으로 촬영시기와 계절이 다른 항공영상을 이용하였으며, 이를 기반으로 DSM과 정사영상을 제작하고, 건축물의 변화 및 지형변화 탐지 등 입체적이고 효과적으로 도시변화정보를 추출하였다. 탐지된 내용은 건물, 도로, 시설물 및 성절토 등에 대한 변화정보를 분류할 수 있었다. 연구결과 새로운 개념의 변화탐지가 가능함을 확인할 수 있었으며, 향후 도시변화탐지에 대한 새로운 접근과 정확성향상이 기대된다.

항공레이저 센서 자료융합을 통한 하이퍼스펙트럴 센서 자료의 분류 정확도 개선 연구

권오섭(Oh-Seob Kwon),송동열,백선양(Sun-Yang Baek),유세종(Se-Jong Yu),석현우(Hyun-woo Seok),Sung-Soo Kim 대한공간정보학회 2015 한국지형공간정보학회 학술대회 Vol.2015 No.5

하이퍼스펙트럴 센서자료와 항공 센서자료의 최적융합을 통한 정확도 개선 연구

권오섭(Oh-Seob Kwon),김성수(Sung-Soo Kim),장진원(Jin-won Jang),백선양(Sun-Yang Baek) 대한공간정보학회 2014 한국지형공간정보학회 학술대회 Vol.2014 No.11

나노-스케일 전계 효과 트랜지스터 모델링 연구 : FinFET

김기동,권오섭,서지현,원태영,Kim, Ki-Dong,Kwon, Oh-Seob,Seo, Ji-Hyun,Won, Tae-Young 대한전자공학회 2004 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.41 No.6

본 논문에서는 2차원 양자 역학적 모델링 및 시뮬레이션(quantum mechanical modeling and simulation)으로써, 자기정렬 이중게이츠 구조(self-aligned double-gate structure)인 FinFET에 관하여 결합된 푸아송-슈뢰딩거 방정식(coupled Poisson and Schrodinger equations)를 셀프-컨시스턴트(self-consistent)한 방법으로 해석하는 수치적 모델을 제안한다. 시뮬레이션은 게이트 길이(Lg)를 10에서 80nm까지, 실리콘 핀 두께($T_{fin}$)를 10에서 40nm까지 변화시켜가며 시행되었다. 시뮬레이션의 검증을 위한 전류-전압 특성을 실험 결과값과 비교하였으며, 문턱 전압 이하 기울기(subthreshold swing), 문턱 전압 롤-오프(thresholdvoltage roll-off), 그리고 드레인 유기 장벽 감소(drain induced barrier lowering, DIBL)과 같은 파라미터를 추출함으로써 단채널 효과를 줄이기 위한 소자 최적화를 시행하였다. 또한, 고전적 방법과 양자 역학적 방법의 시뮬레이션 결과를 비교함으로써,양자 역학적 해석의 필요성을 확인하였다. 본 연구를 통해서, FinFET과 같은 구조가 단채널 효과를 줄이는데 이상적이며, 나노-스케일 소자 구조를 해석함에 있어 양자 역학적 시뮬레이션이 필수적임을 알 수 있었다. We performed two-dimensional (20) computer-based modeling and simulation of FinFET by solving the coupled Poisson-Schrodinger equations quantum-mechanically in a self-consistent manner. The simulation results are carefully investigated for FinFET with gate length(Lg) varying from 10 to 80nm and with a Si-fin thickness($T_{fin}$) varying from 10 to 40nm. Current-voltage (I-V) characteristics are compared with the experimental data. Device optimization has been performed in order to suppress the short-channel effects (SCEs) including the sub-threshold swing, threshold voltage roll-off, drain induced barrier lowering (DIBL). The quantum-mechanical simulation is compared with the classical appmach in order to understand the influence of the electron confinement effect. Simulation results indicated that the FinFET is a promising structure to suppress the SCEs and the quantum-mechanical simulation is essential for applying nano-scale device structure.

항공 멀티센서 자료의 융합방법을 이용한 해안지역에서의 토지피복분류 정확도 분석에 관한 연구

오민균(Oh, Min Kyun),권오섭(Kwon, Oh Seob),최병길(Choi, Byung Gil),나영우(Na, Young Woo) 대한공간정보학회 2020 대한공간정보학회지 Vol.28 No.1

본 연구의 목적은 항공 멀티센서 자료의 융합 방법을 이용하여 해안지역의 토지피복분류를 위한 정확도를 분석하는데 있다. 토지피복분류의 정확도와 융합 변수 간 상관관계를 고려하여 하이퍼스펙트럴 자료, 멀티스펙트럴 자료 및 항공레이저 자료에 대한 최적 융합 모형을 적용하였다. 융합 방법과 변수 조합을 통해 최적 융합 모형을 적용하여 융합 전후의 분류 정확도를 비교 분석한 결과, 수치적 정확도와 시각적 정확도가 모두 향상되었으며, 공간해상도가 높은 자료를 기준으로 융합하는 경우보다 분광 정보가 많은 자료를 기준으로 융합하는 경우가 수치적 정확도를 좀 더 향상시킬 수 있음을 알 수 있었다. 토지피복분류의 항목별 수치적 정확도는 융합 방법별로 모두 유사한 경향이 나타남을 알 수 있었다. 융합 결과 식생관련 분류 항목들의 경우 수치적 분류 정확도가 다소 감소하였으나 참조영상과 현지조사를 통해 시각적 정확도를 분석한 결과 분류항목 모두 실제의 피복현황에 보다 정확히 일치하는 것을 알 수 있었다. The purpose of this study is to analyze the accuracy of land cover classification using the fusion method of aerial multi-sensor data in coastal area. In consideration of the correlation between the accuracy of land cover classification and the fusion parameters, the optimal fusion model for hyperspectral data, multispectral data and airborne laser data was applied. As a result of comparing the classification accuracy before and after fusion by applying the optimal fusion model through the fusion method and the variable combination, both the numerical accuracy and the visual accuracy are improved. It can be seen that the convergence based on many data can improve the numerical accuracy. The numerical accuracy of each item of land cover classification tended to be similar for each convergence method. As a result of the fusion, the numerical classification accuracy decreased slightly, but the visual accuracy was analyzed through the reference image and the field survey.

DRAM 셀 구조의 셀 캐패시턴스 및 기생 캐패시턴스 추출 연구

윤석인,권오섭,원태영,Yoon, Suk-In,Kwon, Oh-Seob,Won, Tae-Young 대한전자공학회 2000 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.37 No.7

본 논문에서는 DRAM 셀 내의 셀 캐패시턴스 및 기생 캐패시턴스를 수치 해석적으로 계한하여 추출하는 방법과 그 적용 예를 보고한다. 셀 캐패시턴스 및 기생 캐패시턴스를 계산하기 위하여 유한요소법을 적용하였다. 시뮬레이션의 구조를 정의하기 우하여, 마스크 레이아웃 데이터 및 공정 레시피를 이용한 토포그래피 시뮬레이션을 수행하고, 토포그래피 시뮬레이션을 통해 DRAM 셀 구조를 생성하기 위해 필요한 데이터를 얻었다. 이를 기반으로 하여, 마스크 데이터 기반의 3차원 솔리드 모델링 방법을 적용하여 시뮬레이션 구조를 생성하였다. 시뮬레이션에 사용된 구조는 $2.25{\times}175{\times}3.45{\mu}m^3$ 크기이며, 4개의 셀 캐패시터를 갖는다. 또한 70,078개의 노드와 395,064개의 사면체로 구성되었다. 시뮬레이션을 위해 ULTRA SPARC 10 웨크스테이션에서 약 25분의 CPU 시간을 소요하였으며, 약 201메가바이트의 메모리를 사용하였다. 시뮬레이션을 통하여 계산된 셀 캐패시턴스는 셀당 24fF이며, DRAM 셀 내에서 가장 주요한 기생 캐패시턴스 성분을 규명하였다. This paper reports a methodology and its application for extracting cell capacitances and parasitic capacitances in a stacked DRAM cell structure by a numerical technique. To calculate the cell and parasitic capacitances, we employed finite element method (FEM), The three-dimensional DRAM cell structure is generated by solid modeling based on two-dimensional mask layout and transfer data. To obtain transfer data for generating three-dimensional simulation structure, topography simulation is performed. In this calculation, an exemplary structure comprising 4 cell capacitors with a dimension of $2.25{\times}1.75{\times}3.45{\mu}m^3$, 70,078 nodes with 395,064 tetrahedra were used in ULTRA SPARC 10 workstation. The total CPU time for the simulation was about 25 minutes, while the memory size of 201MB was required. The calculated cell capacitance is 24.34fF per cell, and the influential parasitic capacitances in a stacked DRAM cell are investigated.

건식 식각 공정을 위한 초고속 병렬 연산 시뮬레이터 개발

이제희,권오섭,반용찬,원태영,Lee, Jae-Hee,Kwon, Oh-Seob,Ban, Yong-Chan,Won, Tae-Young 대한전자공학회 1999 電子工學會論文誌, D Vol.d36 No.10

This paper report the implementation results of Monte Carlo numerical calculation for ion distributions in plasma dry etching chamber and of the surface evolution simulator using cell removal method for topographical evolution of the surface exposed to etching ion. The energy and angular distributions of ion across the plasma sheath were calculated by MC(Monte Carlo) algorithm. High performance MPP(Massively Parallel Processing) algorithm developed in this paper enables efficient parallel and distributed simulation with an efficiency of more than 95% and speedup of 16 with 16 processors. Parallelization of surface evolution simulator based on cell removal method reduces simulation time dramatically to 15 minutes and increases capability of simulation required enormous memory size of 600Mb. 건식 식각 공정을 시뮬레이션하기 위하여, 플라즈마 챔버 내의 식각 이온 거동 메카니즘을 몬테카를로 수치해석 방식으로 구현하였고, 식각 이온의 거동에 의한 기판의 식각 형상을 확인하기 위하여 셀 방식의 표면 전진기를 개발하였다. 몬테카를로 수치 계산의 단점인 과다한 계산 시간을 효과적으로 감소시키기 위하여, CRAY T3E 병렬 컴퓨터와 여러대의 워크스테이션을 연결한 MPI 환경에서 몬테카를로 병렬 계산 알고리즘을 개발하였다. 본 연구에서 개발한 몬테카를로 병렬 계산 알고리즘은 95% 이상의 효율성을 보이며, 16개의 프로세서를 사용하였을 때 16의 스피드업(Speedup) 값을 얻었다. 또한 셀 방식의 병렬 연산 표면 전진기를 이용하여 토포그래피 시뮬레이션을 수행한 결과에서, 셀의 개수가 2갭만 개 일 때, 약 600Mb 이상의 메모리가 소요되므로 단일 워크스테이션 환경에서는 불가능한 계산이 본 연구에서 개발한 병렬 계산 알고리즘을 이용하였을 때 32개의 프로세서에서 15분의 계산시간이 소요되었다.

기가 비트급 소자 제작을 위한 3차원 몬테카를로 극 저 에너지 이온 주입 모델링

반용찬,권오섭,원태영,Ban, Yong-Chan,Kwon, Oh-Seob,Won, Tae-Young 대한전자공학회 2000 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.37 No.10

소자의 크기가 딥 서브 마이크론 이하로 작아짐에 따라 극 저 에너지 이온 주입의 정확한 모델링은 중요함을 더하게 되었다. 본 논문에서는 이체 충돌 근사(Binary Collision Approximation)에 기반을 둔 3차원 몬테카를로 이온 주입 시뮬레이터를 개발하였다. 이를 위하여, 저 에너지 이온 주입에 있어 이체 충동 근사 방법의 제한 요소인 전자 에너지 정지력에 대한 모델을 개선하였고, 다중 충돌 계산을 위한 모델을 적용하였다. 계산된 이온 주입 도펀트 분포 및 결함 분포는 실제 실험치와 일치함을 확인하였다. 또한, 3차원 이온 주입 시뮬레이션에 있어 계산 시간의 효율을 극대화 하고자, 본 연구에서는 이온 분포 복사법(Ion Distribution Replica Method)을 개발하였고, 복잡한 토폴로지를 갖는 다층 에이어의 이온 주입 공정에 있어 빠른 수행 시간 및 결과의 정확성을 확인하였다. A rigorous modeling of ultra-low energy implantation is becoming increasingly more important as devices shrink to deep submicron dimensions. In this paper, we have developed an efficient three-dimensional Monte Carlo ion implantation model based on a modified Binary Collision Approximation(BCA). To this purpose, the modified electronic stopping model and the multi-body collision model have been taken into account in this simulator. The dopant and damage profiles show very good agreement with SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy) data and RBS(Rutherford Backscattering Spectroscopy) data, respectively. Moreover, the ion distribution replica method has been implemented into the model to get a computational efficiency in a 3D simulation, and we have calculated the 3D Monte Carlo simulation into the topographically complex structure.