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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      저자 : 군영규 (검색결과 1 건)
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        RTCVD 법으로 성장한 Si1-xGex 에피막의 특성

        김광일,배영호,강봉구,정욱진,군영규,손병기 한국센서학회 1996 센서학회지 Vol.5 No.2

        The growth and characterization of heteroepitaxial Si_(l-x)Ge_x films grown by the RTCVD (Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition) method were described. For the growth of Si_(l-x)Ge_x heteroepitaxial layers, SiH₄/ GeH₄ / H₂ gas mixtures were used. The growth conditions were varied to investigate their effects on the Si / Ge composition ratios, the interface abruptness and crystalline properties. The experimental data shows that the misfit threading dislocation in Si_(l-x)Ge_x / Si heteroepitaxial film of about 400 A thickness was not observed at the growth temperature of as low as 650℃, and the composition ratios of Si / Ge changed linearly with SiH₄ / GeH₄ gas mixing ratios in our experimental ranges. In the in-situ boron doping experiments, the doping abruptness would be controlled within several hundreds Å/decade.

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