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김동욱,강호규,이연재,설상영,정정명 인제대학교 1991 仁濟醫學 Vol.12 No.4
1981년 1월부터 1991년 6월까지 인제대학 부속 부산백병원 내과 외래를 방문하여 식도암으로 진단된 171례를 대상으로 임상적 관찰을 한 결과 편평상피암 86.0%, 선암 12.3%, 미분화암이 1.7%였다. We studied clinical observation of 171 patients (155 males, 16 females) with esophageal cancer who visited out patient clinic of Internal Medicine, Pusan Paik Hospital from January 1981 to June 1991. And the results were squamous cell carcinomas 86.0%, adenocarcinoma 12.3%, and undifferentiated carcinoma 1.7%.
서정철,강호규,이성근,이재윤,김영훈,설상영,정정명,전종휘 대한내과학회 1992 대한내과학회지 Vol.42 No.2
저자들은 심와부 동통과 황달을 주소로 본원에 입원한 51세 여자 환자에서 간암에 동반된 거대 담즙종 1예를 경험하였기에 이를 문헌 고찰과 함께 보고하는 바이다. Biloma, a newly described entity, is rare disorder which has been defined as an extra-ductular collection of bile within a defined capsular space. Most often, biloma resulted from biliary ductal disruption due to abdominal surgery or trauma. Spontaneous bile leakage associated with other primary causes, including sickle cell anemia, gall bladder cancer, hepatocellular carcinoma, has been reported rarely. A 49-year-old female was admitted to this hospital on Decemver 20 1990, with complaint of vague epigastric pain and yellowish discoloration of the sclerae. Huge biloma was confirmed by CT guided percutaneous needle aspiration and drained with pigtail catheter (8.5 French) successfully. A case of huge biloma secondary to hepatocellular carcinoma is presented with brief review of the literatures.
Co/metal/Si 이중층 구조의 실리사이드화 열처리에 따른 dopant의 재분포
이종무,권영재,이수천,강호규,배대록,신광수,이도형,Lee, Jong-Mu,Gwon, Yeong-Jae,Lee, Su-Cheon,Gang, Ho-Gyu,Bae, Dae-Rok,Sin, Gwang-Su,Lee, Do-Hyeong 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.3
SIMS를 사용하여 Co/metal 이중층 구조의 실리사이드화 열처리시 발생하는 기판내 도펀트의 재분포 거동에 대하여 조사하였다. Co실리사이드화 반응의 중간층으로는 Ti, Nb, 또는 Hf를 사용하였고, 여러 도펀트들 중 실리사이드 내에서의 확산속도가 특히 빠른 B에 대하여 조사하였다. Co/Ti과 co/Nb의 경우 열처리후 B피크의 높이는 1 order 정도 낮아지지만 표면으로부터의 주피크의 상대적인 위치는 열처리전과 동일하였다. B의 분포양상은 Ti 및 Nb의 그것과 일치하는데, 이것은 B와 Ti 및 Nb간의 친화력이 크기 때문이다. Co/Hf의 경우에도 B의 피크는 Hf과 거의 같았으나, Ti나 Nb에 비해서 약간 차이가 나는 것으로 보다 B-Hf간의 친화력은 다소 떨어지는 것으로 보인다. 전체적으로 열처리후 Co/metal 이중층 실리사이드에서의 B의 재분포는 Si계면에서 고갈되는 반면, Co-metal/Co 실리사이드 계면에서 pile-up되는 양상을 보였다. The redistribution behavior of boron during Co silicidation annealing in the Co/metal/Si system was investigated using SIMS. Ti, Nb and Hf films were used as epitaxy promoting metal layers. After annealing treatment the boron peak height was about 1 order lowered in Co/Ti/Si and Co/Nb/Si systems but the relative peak position from the surface did not change. The distribution of boron was very similar to those of Ti and Nb, because of the strong affinities of boron with them. Also, the position of the main boron peak in the Co/Hf/Si system was almost the same as that of Hf, but the distribution feature of the Co/Hf/Si system somewhat differed from those of Co/Ti/Si and Co/Nb/Si systems. This implies that the affinity between B and Hf is weaker than those of B-Ti and B-Nb. Boron tends to be depleted at the silicidelsi interface while it tends to be piled-up at the Co-metal/Co silicide interface during silicidation annealing.
다결정 Si기판 위에서의 Co/Ti 이중층의 실리사이드화
권영재,이종무,배대록,강호규,Kwon, Young-Jae,Lee, Jong-Mu,Bae, Dae-Lok,Kang, Ho-Kyu 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.7
P가 고농도로 도핑된 다결정 Si 기판 위에 Co/Ti 이중층막을 스퍼터 증착하고 급속열처리함으로써 얻어지는 실리사이드 층구조, 실리사이드막의 응집, 그리고 도펀트의 재분포 등을 단결정 Si 기판 위에서의 그것들과 비교하여 조사하였다. 다결정 Si 기판위에 형성한 Co/Si 이중층을 열처리할 때 단결정 기판에서의 경우보다 $CoSi_2$로의 상천이는 약간 더 낮은 온도에서 시작되며, 막의 응집은 더 심하게 일어난다. 또한, 다결정 Si 기판내의 도펀트보다 웨이퍼 표면을 통하여 바깥으로 outdiffusion 함으로써 소실되는 양이 훨씬 더 많다. 이러한 차이는 다결정 Si 내에서의 결정립계 확산과 고농도의 도펀트에 기인한다. Co/Ti/doped-polycrystalline si의 실리사이드화 열처리후의 층구조는 polycrystalline CoSi2/polycrystalline Si 으로서 Co/Ti(100)Si을 열처리한 경우의 층구조인 Co-Ti-Si/epi-CoSi2/(100)Si 과는 달리 Co-Ti-Si층이 사라진다. Silicide layer structures, agglomeration of silicide layers, and dopant redistributions for the Co/Ti bilayer sputter-deposited on the P-doped polycrystalline Si substrate and subjected to rapid thermal annealing were investigated and compared with those on the single Si substrate. The $CoSi_2$ phase transition temperature is higher and agglomeration of the silicide layer occurs more severely for the Co/Ti bilayer on the doped polycrystalline Si substrate than on the single Si substrate. Also, dopant loss by outdiffusion is much more significant on the doped polycrystalline Si substrate than on the single Si substrate. All of these differences are attributed to the grain boundary diffusion and heavier doping concentration in the polycrystalline Si. The layer structure after silicidation annealing of Co/ Tildoped - polycrystalline Si is polycrystalline CoSi,/polycrystalline Si, while that of Co/TiI( 100) Si is Co- Ti- Si/epi- CoSi,/(lOO) Si.