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The atomic structure of dislocations and planar boundaries in GaN
Ruterana, P. Philadelphia; Institute of Physics; 1999 1999 CONFERENCE SERIES- INSTITUTE OF PHYSICS Vol.164 No.-
Atomic Structure of Extended Defects in Wurtzite GaN Epitaxial Layers
Ruterana, P. ACADEMIC VERLAG GMBH 2001 Physica status solidi. B Vol.227 No.1
Quantitative evaluation of the atomic structure of defects and composition fluctuations at the nanometer scale inside InGaN/GaN heterostructures
Ruterana, P., Singh, P., Kret, S., Jurczak, G., Ma Wiley - VCH 2004 Physica Status Solidi C Vol.1 No.10
Structural analysis of thick GaN films grown by hydride vapour phase epitaxy
Ruterana, P., Chen, J., Nouet, G., Lei, B., Ye, H. Wiley - VCH 2004 Physica Status Solidi C Vol.1 No.10
Convergent beam electron diffraction investigation of inversion domains in GaN
Ruterana, P. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS Vol.401 No.1-2
A TEM Study of InGaN Layers and Quantum Wells Grown by MOCVD
Ruterana, P.,Aguinet, R.,Poisson, M. A. Wiley-VCH 1999 Physica status solidi. B Vol.216 No.1
A TEM Evaluation of ELOG GaN Grown on AlN Buffer Layer by HVPE on (0001) 6H-SiC
Ruterana, P.,Beaumont, B.,Gibart, P.,Melnik, Y. Wiley-VCH 1999 Physica status solidi. B Vol.216 No.1
The Microstructure and Electrical Properties of Directly Deposited TiN Ohmic Contacts to Gallium Nitride
Ruterana, P.,Nouet, G.,Kehagias, T.,Komninou, P.,K Materials Research Society 2000 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.595 No.-
Ruterana, P., Chen, J., Nouet, G., Lei, B., Ye, H. ACADEMIC VERLAG GMBH 2004 Physica status solidi. B Vol.241 No.12
Wedge Cleaving for TEM Samples Preparation and Interface Analysis
Ruterana, P., Laub, D. Les Editions de Physique 1994 ELECTRON MICROSCOPY -INTERNATIONAL CONGRESS- Vol.1 No.-
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