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The minimality of the map Formula Not Shown for weighted energy
Bourgoin, J. C. SPRINGER SCIENCE + BUSINESS MEDIA 2006 Calculus of variations and partial differential eq Vol.25 No.4
Reponse to "Comment on 'Physical Meaning of Electron Capture Kinetics DX Centers'"
Bourgoin, J. C.,Feng, S. L.,Von Bardeleben, H. L. American Institute of Physics 1989 Applied Physics Letters Vol.55 No.8
GaAs Schottky versus p/i/n diodes for pixellated X-ray detectors
Bourgoin, J. C., Sun, G. C. ELSEVIER SCIENCE 2002 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.487 No.1-2
An induction principle for the weighted p-energy minimality of Formula Not Shown
Bourgoin, J. C. Elsevier Science B.V., Amsterdam 2007 Journal of mathematical analysis and applications Vol.334 No.2
The energy level of the EL2 defect in GaAs
Bourgoin, J. C. PERGAMON PRESS 1999 Solid-State Electronics Vol.43 No.1
Light Induced Degradation Of Si Cells. Model Of A Metastable Defect
Bourgoin, J. C.,de Angelis, N.,Strobl, G. James 2000 EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE Vol.16 No.2
Suppression of DX Centers in GaAlAs-GaAs Heterostructures
Bourgoin, J. C.,Feng, S. L.,Stievenard, D. American Institute of Physics 1989 Applied Physics Letters Vol.54 No.12
IDENTIFICATION OF OXYGEN-RELATED MIDGAP LEVEL IN GAAS - COMMENT
J. C. Bourgoin, D. Stievenard American Institute of Physics 1985 Applied Physics Letters Vol.46 No.3
Physical Meaning of Electron Capture Kinetics on DX Center
Bourgoin, J. C.,Feng, S. L.,Von Bardeleben, H. J. American Institute of Physics 1988 Applied Physics Letters Vol.53 No.19
Recombination centers in electron irradiated Si and GaAs
Bourgoin, J. C., Zazoui, M., Zaidi, M. A. Trans tech publications 1997 Materials Science Forum Vol.258-263 No.1
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