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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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ㅥ ㅦ ㅧ ㅨ ㅩ ㅪ ㅫ ㅬ ㅭ ㅮ ㅯ ㅰ ㅱ ㅲ ㅳ ㅴ ㅵ ㅶ ㅷ ㅸ ㅹ ㅺ ㅻ ㅼ ㅽ ㅾ ㅿ ㆀ ㆁ ㆂ ㆃ ㆄ ㆅ ㆆ ㆇ ㆈ ㆉ ㆊ ㆋ ㆌ ㆍ ㆎ
Α Β Γ Δ Ε Ζ Η Θ Ι Κ Λ Μ Ν Ξ Ο Π Ρ Σ Τ Υ Φ Χ Ψ Ω α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω
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§ ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿ ㈜ № ㏇ ™ ㏂ ㏘ ℡ ＃ ＆ ＊ ＠ ª º
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      저자 : Bowers Carleen M. (검색결과 1 건)
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      • Fluorination, and Tunneling across Molecular Junctions

        Liao, Kung-Ching,Bowers, Carleen M.,Yoon, Hyo Jae,Whitesides, George M. American Chemical Society 2015 JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY - Vol.137 No.11

        <P>This paper describes the influence of the substitution of fluorine for hydrogen on the rate of charge transport by hole tunneling through junctions of the form Ag<SUP>TS</SUP>O<SUB>2</SUB>C(CH<SUB>2</SUB>)<SUB><I>n</I></SUB>(CF<SUB>2</SUB>)<SUB><I>m</I></SUB>T//Ga<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>/EGaIn, where T is methyl (CH<SUB>3</SUB>) or trifluoromethyl (CF<SUB>3</SUB>). Alkanoate-based self-assembled monolayers (SAMs) having perfluorinated groups (R<SUP>F</SUP>) show current densities that are lower (by factors of 20–30) than those of the homologous hydrocarbons (R<SUP>H</SUP>), while the attenuation factors of the simplified Simmons equation for methylene (β = (1.05?±?0.02)<I>n</I><SUB>CH<SUB>2</SUB></SUB><SUP>–1</SUP>) and difluoromethylene (β = (1.15?±?0.02)<I>n</I><SUB>CF<SUB>2</SUB></SUB><SUP>–1</SUP>) are similar (although the value for (CF<SUB>2</SUB>)<SUB><I>n</I></SUB> is statistically significantly larger). A comparative study focusing on the terminal fluorine substituents in SAMs of ω-tolyl- and -phenyl-alkanoates suggests that the C–F//Ga<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> interface is responsible for the lower tunneling currents for CF<SUB>3</SUB>. The decrease in the rate of charge transport in SAMs with R<SUP>F</SUP> groups (relative to homologous R<SUP>H</SUP> groups) is plausibly due to an increase in the height of the tunneling barrier at the T//Ga<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> interface, and/or to weak van der Waals interactions at that interface.</P><P><B>Graphic Abstract</B> <IMG SRC='http://pubs.acs.org/appl/literatum/publisher/achs/journals/content/jacsat/2015/jacsat.2015.137.issue-11/jacs.5b00137/production/images/medium/ja-2015-001374_0005.gif'></P><P><A href='http://pubs.acs.org/doi/suppl/10.1021/ja5b00137'>ACS Electronic Supporting Info</A></P>

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