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이온주입에 의한 TiSi₂ 박막에서의 Blister 현상
박형태(Hyeong-Tai Park),김영욱(Young-Wug Kim) 한국진공학회(ASCT) 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.3
단결정 실리콘에 P, B, As 등의 dopant를 이온주입시켰을 때 상부에 스퍼터된 Ti과 고상반응에 의해 형성된 Ti 실리사이드막에 발생되는 blister 현상에 대해 조사했다. Dopant에 관계없이 dose양이 많을수록 Ti 실리사이드막에서 blister의 크기와 밀도가 증가한다. P, B, As 중에서 As의 경우가 가장 많이 발생되었다. 이온주입시 가속에너지가 낮을수록 Ti 실리사이드막에서 blister의 크기와 밀도가 증가한다. 실리콘 표면에 dopant를 주입한 후 열처리를 하여 damage를 줄여줌으로써 blister의 양을 줄일 수 있었다. 이때 열처리온도가 높을수록 blister의 수가 감소한다. The implantation effects of various dopants, such as P, B, As, performed before the solid state reaction between sputter-deposited Ti film and ion imp1anted Si surface on blistering occurred in the TiSi₂ film has been studied varing dose amount and implantation energy. The size of blister and the number of blister in the TiSi₂ film were increased with increasing dose amount independent of dopant impurities. However, the sample implanted As showed the largest blister size and the highest blister density among the samples investigated. It was also found that the problem due to the blistering in the TiSi₂ film became more serious as the implantation energy was decreased. The effect of the induced damage on blistering could be confirmed by the fact that the number of blister could be reduced by post annealing afater ion implantation. The reduction in the number and size of blister was enhanced as the post annealing temperature was increased.
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