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    CdMnTeSe 기반 진단용 X-선 검출기 의 타당성 연구

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    국문 초록 (Abstract) kakao i 다국어 번역

    초기 상업화 이후에도 CdTe 기반 재료들은 지속적으로 개발되어 왔다. 그러
    나 현재까지 CdMnTeSe(CMTS) 검출기를 이용한 X-선 응답을 얻기 위한 접근
    은 아직 충분히 탐구되지 않았다. 본 연구는 CMTS를 진단용 X-선 검출기에서
    잠재적인 재료로 사용하기 위한 타당성을 평가하고자 한다. 브리지맨 방법을 사
    용하여 성장한 CMTS 결정은 방사선 검출기로 처리하였다.
    CMTS 검출기의 X-선 응답은 튜브 전압, 튜브 전류 및 바이어스 전압을 포함한 다양한 조건에서
    평가하였다. 또한, CMTS를 포함한 CdTe 기반 재료들의 질량 감쇠 계수도 비
    교하였다. 연구 결과, CMTS는 다양한 튜브 전압과 전류에서 안정적이고 선형
    적인 응답을 보였으며, 높은 바이어스 전압에서 계산된 감도가 증가는 경향을
    나타냈다. 하지만 높은 선량 조건에서는 신호 손실과 같은 문제가 관찰되어 C
    MTS 성장 기술의 추가 최적화가 필요함을 확인하였다. 전반적으로, 본 연구는
    CMTS 결정 특성의 추가 개선이 필요하지만, 차세대 진단용 X-선 검출기의 후
    보 재료로서 CMTS의 잠재력을 가진다는 점을 본 연구는 보여준다.
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    초기 상업화 이후에도 CdTe 기반 재료들은 지속적으로 개발되어 왔다. 그러 나 현재까지 CdMnTeSe(CMTS) 검출기를 이용한 X-선 응답을 얻기 위한 접근 은 아직 충분히 탐구되지 않았다. 본 연구는 C...

    초기 상업화 이후에도 CdTe 기반 재료들은 지속적으로 개발되어 왔다. 그러
    나 현재까지 CdMnTeSe(CMTS) 검출기를 이용한 X-선 응답을 얻기 위한 접근
    은 아직 충분히 탐구되지 않았다. 본 연구는 CMTS를 진단용 X-선 검출기에서
    잠재적인 재료로 사용하기 위한 타당성을 평가하고자 한다. 브리지맨 방법을 사
    용하여 성장한 CMTS 결정은 방사선 검출기로 처리하였다.
    CMTS 검출기의 X-선 응답은 튜브 전압, 튜브 전류 및 바이어스 전압을 포함한 다양한 조건에서
    평가하였다. 또한, CMTS를 포함한 CdTe 기반 재료들의 질량 감쇠 계수도 비
    교하였다. 연구 결과, CMTS는 다양한 튜브 전압과 전류에서 안정적이고 선형
    적인 응답을 보였으며, 높은 바이어스 전압에서 계산된 감도가 증가는 경향을
    나타냈다. 하지만 높은 선량 조건에서는 신호 손실과 같은 문제가 관찰되어 C
    MTS 성장 기술의 추가 최적화가 필요함을 확인하였다. 전반적으로, 본 연구는
    CMTS 결정 특성의 추가 개선이 필요하지만, 차세대 진단용 X-선 검출기의 후
    보 재료로서 CMTS의 잠재력을 가진다는 점을 본 연구는 보여준다.

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    목차 (Table of Contents)

    • 국문초록
    • 표 목 차
    • 그림목차
    • Ⅰ. 서 론 1
    • 1. 연구의 배경
    • 국문초록
    • 표 목 차
    • 그림목차
    • Ⅰ. 서 론 1
    • 1. 연구의 배경
    • 2. 연구의 목적
    • 3. 연구의 범위 및 구성
    • Ⅱ. 이론적 배경 5
    • 1. X선의 발생과 검출 원리
    • 2. 방사선 검출기의 분류
    • 3. 직접 변환형과 간접 변환형 검출기의 차이
    • 4. CdTe 계열 반도체의 구조과 한계
    • 5. CdMnTeSe의 개발과 특성
    • Ⅲ. 재료 및 방법 18
    • 1. 실험재료
    • 2. 실험방법
    • Ⅳ. 결 과 26
    • 1. 바이어스 전압에 따른 전류응답
    • 2. 감도(Sensitivity) 및 선형성(Linearity) 분석
    • 3. 신호 대 잡음비(SNR) 및 상대표준편차(RSD) 분석
    • 4. CdTe 검출기와의 비교
    • Ⅴ. 고찰 41
    • Ⅵ. 결론 43
    • 참고문헌 45
    • 영문초록(Abstract) 50
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