양자점(Quantum Dot : QD)은 나노미터 크기의 반도체 결정으로, 양자 구속 효과에 의해 크기·조성에 따라 흡수 및 발광 특성이 조절된다. 이러한 특성은 높은 색순도와 우수한 발광 효율 구현에 ...

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아산 : 순천향대학교 일반대학원, 2025
학위논문(석사) -- 순천향대학교 일반대학원 , 전자재료소자장비융합공학과 , 2026. 2
2025
한국어
충청남도
; 26 cm
지도교수: 이호년
I804:44009-200000948032
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양자점(Quantum Dot : QD)은 나노미터 크기의 반도체 결정으로, 양자 구속 효과에 의해 크기·조성에 따라 흡수 및 발광 특성이 조절된다. 이러한 특성은 높은 색순도와 우수한 발광 효율 구현에 유리하여 디스플레이 조명용 발광 소재로 주목받고 있으며, 동시에 광 조사 조건에서 전하 생성·수집이 가능해 광센서/광전 소자 응용으로도 확장되고 있다.
양자점 발광 다이오드는 양자점을 발광 매질로 사용하는 전계 발광 소자로, 적층 구조와 전하 수송층의 설계에 따라 전하 주입/수송 균형 및 재결합 손실이 달라져 성능이 크게 좌우된다.
본 연구는 하나의 단일 양자점 발광 다이오드(Quantum Dot Light Emitting Diode : QLED) 소자에서 발광과 광 감지 기능을 함께 구현하기 위한 구조적·전기적 설계 전략을 제안하는 데 목적이 있다. 이를 위해 공정 안정성이 높은 역구조 QLED를 기반으로 하여, 전자수송층과 정공수송층의 두께 변화가 소자의 발광 특성과 광 조사 시 전기적 응답에 어떤 영향을 미치는지 분석하였다. 음극으로는 ITO(Indium Tin Oxide)를 사용하였고 전자 수송층으로 ZnO NPs(Nano Particles), 표면개질층으로 PEI(Poly ethyleneimine), 정공수송층으로 TCTA(4-Tris (carbazol-9-yl) triphenylamine)를 사용하였고 정공주입층으로 WOx, 양극으로 Ag를 사용하였다. 소자 구조는 ITO / ZnO NPs / PEI / QD / TCTA / WOx / Ag로 구성하였다. ZnO NPs와 TCTA의 두께를 조절하며 J-V-L 특성을 측정하여 발광 성능을 평가하고, AM1.5 조건에서 I-V 특성을 분석하여 광센서로서의 동작을 확인하였다.
결론적으로, 본 연구는 전하수송층 두께 조절만으로도 QLED의 발광 성능과 광센서 성능을 최적화하여 구현할 수 있다는 것을 입증하였다. 이러한 결과는 단일 QLED 소자를 광원과 센서로 동시에 동작시키는 이중 기능 소자 개발 가능성을 제시하며, 향후 인터랙티브 디스플레이 및 광전자 융합 소자 설계에 유용한 방향성을 제공한다.
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