반도체 제조 공정에서 건식 식각(dry etching)은 미세 패턴 형성을 위한 핵심 공정으로, 웨이퍼 표면의 온도 분포는 식각 속도, 프로파일 형상 및 공정 균일도에 직접적인영향을 미친다. 특히 고...

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
https://www.riss.kr/link?id=T17389085
부산 : 부산대학교 대학원, 2026
학위논문(석사) -- 부산대학교 대학원 , 나노반도체공정장비계약학과 나노 반도체 공정·장비 계약학과 , 2026. 2
2026
한국어
부산
57 ; 26 cm
지도교수: 김송길
I804:21016-000000172179
0
상세조회0
다운로드반도체 제조 공정에서 건식 식각(dry etching)은 미세 패턴 형성을 위한 핵심 공정으로, 웨이퍼 표면의 온도 분포는 식각 속도, 프로파일 형상 및 공정 균일도에 직접적인영향을 미친다. 특히 고...
반도체 제조 공정에서 건식 식각(dry etching)은 미세 패턴 형성을 위한 핵심 공정으로, 웨이퍼 표면의 온도 분포는 식각 속도, 프로파일 형상 및 공정 균일도에 직접적인영향을 미친다. 특히 고밀도 플라즈마를 사용하는 ICP 기반 식각 공정에서는 플라즈마열유속의 공간적 비균일성과 정전척(Electrostatic Chuck, ESC) 내부 냉각 구조의 영향으로 인해 웨이퍼 면내 온도 불균일이 필연적으로 발생하며, 이는 공정 수율 저하의주요 원인으로 작용한다. 따라서 웨이퍼 표면 온도를 정밀하게 제어하고, 플라즈마 열부하에 따른 온도 불균일을 효과적으로 보상하는 기술이 요구된다. 본 연구에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 ESC 내부에 multizone heater 구조를 적용한 웨이퍼 온도제어 방식을 제안하고, 시간 의존 열유동 해석을 통해 그 유효성을 분석하였다. 기존연구들이 주로 정상상태(steady-state) 해석에 기반하여 온도 분포를 평가한 것과 달리,본 연구에서는 냉매 유동, 플라즈마 열유속, 히터 발열을 순차적으로 적용한 시간 의존 해석을 수행함으로써 실제 공정 조건에 보다 근접한 열적 거동을 재현하고자 하였다. 먼저, 플라즈마 열유속 및 히터 발열을 제외한 베이스라인 시뮬레이션을 통해 ESC냉각 구조 자체가 형성하는 웨이퍼의 반경 방향 온도 구배 특성을 분석하였다. 그 결과, 냉매 유로 배치에 의해 외곽부 냉각 효과가 우세하게 나타나며, 평균 온도 약10.29 ℃로 수렴하는 비균일한 온도 분포가 형성됨을 확인하였다. 이후 플라즈마 열유속을 가우시안 분포로 적용한 시간 의존 해석을 통해, 플라즈마 가열이 웨이퍼 중심부온도 상승을 유도하고 기존 냉각 구조로 인한 온도 불균일을 더욱 심화시킴을 확인하였다. 다음으로, 모든 히터 존에 동일한 전력을 인가한 단일 존 등가 조건을 분석한결과, 웨이퍼 평균 온도는 약 50.85 ℃까지 상승하였으나, 면내 온도 균일도 측면에서는 구조적 한계가 존재함을 확인하였다. 이에 따라 각 존에 서로 다른 전력을 인가하는 multizone heater 전력 분배 전략을 적용하였으며, 이를 통해 타겟 온도(50 ℃)에근접한 평균 온도 유지가 가능함을 확인하였다. 다만 ESC 구조적 특성 및 열적 결합으로 인해 완전한 면내 균일도 달성에는 한계가 존재함을 함께 분석하였다. 본 연구는시간 의존 열유동 해석을 기반으로 플라즈마 열유속과 ESC 내부 multizone heater의상호작용을 체계적으로 분석함으로써, 웨이퍼 온도 제어의 가능성과 구조적 한계를 동시에 제시한다. 이러한 결과는 향후 ESC 히터 구조 개선, 제어 알고리즘 고도화, 그리고 헬륨 백사이드 가스 효과를 포함한 확장 모델링 연구의 기초 자료로 활용될 수 있을 것으로 기대된다.
목차 (Table of Contents)