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    미중 전략경쟁과 중국의 반도체 혁신체제 : ‘강요된 자립화’와 회복탄력성을 중심으로

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    다국어 초록 (Multilingual Abstract) kakao i 다국어 번역

    As U.S.–China strategic competition has increasingly shifted toward technology, semiconductors have become an important issue in the international political order. Since 2018, U.S. measures targeting China’s semiconductor sector have expanded from firm-specific actions to broader restrictions covering equipment, materials, and design across the supply chain. These measures have placed growing pressure on China to pursue technological self-reliance. This study describes this situation as a period of “forced self-reliance” and examines how China’s national innovation system in the semiconductor sector has been adjusted under sustained external pressure.
    The main research question of this study is whether the innovation outcomes and institutional changes observed in China’s semiconductor industry under intensified sanctions can be explained by existing discussions of the Chinese development model, or whether they should be understood as the result of an innovation system responding to external constraints. Rather than judging China’s semiconductor self-reliance strategy as a success or failure, this study focuses on how the national innovation system adapts and changes in response to external shocks.
    The analysis shows that China’s semiconductor self-reliance has not taken the form of complete independence measured by a single indicator. Instead, it has developed as selective and partial self-reliance across different parts of the value chain. Specifically, the findings show expanded production capacity in legacy manufacturing and memory segments, progress in the localization of semiconductor equipment and materials, and the development of alternative arrangements in design and system-related areas. Although these changes are not fully captured by aggregate self-sufficiency indicators, they are visible at the national innovation system level through accumulated technological capabilities, an increase in participating firms, expanded R&D activity, and changes in policy support.
    Firm-level analysis further indicates that while the early phase of sanctions revealed serious vulnerabilities, the later period saw more differentiated adjustment strategies among major firms such as Huawei, SMIC, CXMT, YMTC, and NAURA. Rather than attempting immediate breakthroughs in advanced manufacturing processes, these firms focused on building capabilities in more accessible areas such as legacy production, memory, and equipment, often in line with state policy priorities.
    Overall, China’s semiconductor self-reliance strategy is best understood as a gradual process of adjustment rather than a rapid technological leap. This study interprets these developments as a resilience-oriented process in which the innovation system absorbs external pressure and makes incremental changes over time. At the same time, it does not draw a firm conclusion about the long-term outcome of China’s semiconductor self-reliance. Instead, it identifies the stabilization of an intermediate level of self-reliance centered on legacy manufacturing, memory, and equipment as a likely path under continued constraints on advanced technologies.
    By placing China’s semiconductor strategy within the broader context of U.S.–China technological competition, this study contributes to understanding how national innovation systems respond to long-term external pressure in an era where technology plays an increasingly important role in international politics.
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    As U.S.–China strategic competition has increasingly shifted toward technology, semiconductors have become an important issue in the international political order. Since 2018, U.S. measures targeting China’s semiconductor sector have expanded from...

    As U.S.–China strategic competition has increasingly shifted toward technology, semiconductors have become an important issue in the international political order. Since 2018, U.S. measures targeting China’s semiconductor sector have expanded from firm-specific actions to broader restrictions covering equipment, materials, and design across the supply chain. These measures have placed growing pressure on China to pursue technological self-reliance. This study describes this situation as a period of “forced self-reliance” and examines how China’s national innovation system in the semiconductor sector has been adjusted under sustained external pressure.
    The main research question of this study is whether the innovation outcomes and institutional changes observed in China’s semiconductor industry under intensified sanctions can be explained by existing discussions of the Chinese development model, or whether they should be understood as the result of an innovation system responding to external constraints. Rather than judging China’s semiconductor self-reliance strategy as a success or failure, this study focuses on how the national innovation system adapts and changes in response to external shocks.
    The analysis shows that China’s semiconductor self-reliance has not taken the form of complete independence measured by a single indicator. Instead, it has developed as selective and partial self-reliance across different parts of the value chain. Specifically, the findings show expanded production capacity in legacy manufacturing and memory segments, progress in the localization of semiconductor equipment and materials, and the development of alternative arrangements in design and system-related areas. Although these changes are not fully captured by aggregate self-sufficiency indicators, they are visible at the national innovation system level through accumulated technological capabilities, an increase in participating firms, expanded R&D activity, and changes in policy support.
    Firm-level analysis further indicates that while the early phase of sanctions revealed serious vulnerabilities, the later period saw more differentiated adjustment strategies among major firms such as Huawei, SMIC, CXMT, YMTC, and NAURA. Rather than attempting immediate breakthroughs in advanced manufacturing processes, these firms focused on building capabilities in more accessible areas such as legacy production, memory, and equipment, often in line with state policy priorities.
    Overall, China’s semiconductor self-reliance strategy is best understood as a gradual process of adjustment rather than a rapid technological leap. This study interprets these developments as a resilience-oriented process in which the innovation system absorbs external pressure and makes incremental changes over time. At the same time, it does not draw a firm conclusion about the long-term outcome of China’s semiconductor self-reliance. Instead, it identifies the stabilization of an intermediate level of self-reliance centered on legacy manufacturing, memory, and equipment as a likely path under continued constraints on advanced technologies.
    By placing China’s semiconductor strategy within the broader context of U.S.–China technological competition, this study contributes to understanding how national innovation systems respond to long-term external pressure in an era where technology plays an increasingly important role in international politics.

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    국문 초록 (Abstract) kakao i 다국어 번역

    미·중 전략경쟁이 기술 영역으로 심화되면서 반도체는 국제정치 질서 재편의 핵심 쟁점으로 부상하였다. 특히 2018년 이후 미국의 대중 반도체 제재는 특정 기업을 겨냥한 단발성 조치를 넘어 장비·소재·설계 전반을 포괄하는 공급망 차단으로 구조화되었으며, 이는 중국에 기술 자립화를 선택이 아닌 생존의 과제로 부상하였다. 이 연구에서는 이를 ‘강요된 자립화’ 국면으로 규정하고, 미국의 제재라는 외생적 충격 속에서 중국의 반도체 국가혁신체제가 어떠한 방식으로 조정·재구성되고 있는지 분석한다.
    핵심 문제의식은 다음과 같다. 제재의 강도가 고도화되었음에도 불구하고 중국 반도체 산업에서 일정한 혁신 성과와 제도적 재편이 관찰된다면, 이는 기존의 중국 모델 논의로 충분히 설명 가능한 현상인가, 아니면 외부 충격에 대응하며 진화하는 새로운 형태의 혁신체제로 이해해야 하는가. 이에 중국의 반도체 자립화 전략을 단순한 산업정책의 성공 또는 실패로 평가하기보다 국가혁신체제가 충격에 대응하며 학습하고 조정되는 과정으로 파악하고자 한다.
    연구를 통해 중국의 반도체 자립화 성과는 단일 지표로 측정되는 완결적 자립이 아니라, 가치사슬 전반에서의 선택적·부분적 자립화임을 확인했다. 구체적으로는 국내 수요를 기반으로 한 레거시 공정과 메모리 분야의 생산 역량 확대, 반도체 장비·소재 부문의 국산화 진전, 설계·시스템 영역에서의 대체 생태계 형성 등이 확인되었다. 이러한 변화는 반도체 자립화율과 같은 단순 지표에는 충분히 반영되지 않지만, 국가혁신체제 차원에서는 기술 축적, 기업 수 증가, 연구개발 투자 및 정책 자원의 재배치 등 혁신 성과의 확장으로 나타났다.
    기업 사례분석에서도 제재 초기 국면에서 ZTE, 푸젠진화 등 일부 기업이 심각한 타격을 입으며 구조적 취약성이 노출된 것과 달리, 이후 제재가 제도화되는 과정에서는 화웨이, SMIC, CXMT, YMTC, 나우라 등 주요 기업을 중심으로 각기 다른 위치에서 혁신 전략이 전개되었다. 이들 기업은 첨단 공정의 즉각적 돌파보다는 레거시·메모리·장비 등 상대적으로 접근 가능한 영역에서 기술 내재화와 생산능력 확장을 추진하며, 국가 정책과 결합된 혁신을 수행했다.
    요컨대, 중국의 반도체 자립화는 단기간의 기술적 도약이라기보다는 제재라는 외부 충격을 흡수하면서 자본 배분, 인력 양성, 기술 축적의 방향을 조정해 온 점진적 재구성 과정으로 이해할 수 있다. 이러한 변화는 혁신체제가 충격에 대응해 유지·조정·전환되는 회복탄력적 과정으로 해석하되, 현시점에서 중국 반도체 자립화의 성패를 단정하지는 않는다. 다만 첨단 공정에서 병목현상이 지속되는 가운데 레거시·메모리·장비 부문을 중심으로 한 중간수준의 자립이 제도화될 가능성을 가장 현실적인 경로로 제시한다.
    이 연구는 중국의 반도체 자립화 전략을 미·중 기술 전략경쟁이라는 국제정치적 맥락 속에서 분석하여 기술이 국가 간 권력 경쟁의 핵심 변수로 부상하는 시대에 국가혁신체제가 어떻게 재편되는지를 보여준다. 이는 중국 모델을 단순한 국가 주도형 발전의 연장선이 아닌, 외부 압력 속에서 조정과 학습을 통해 진화하는 혁신체제로 이해할 필요성을 제기하며, 중국식 발전모델 논의에 대한 이론적 확장을 시도한다는 점에서 의의가 있다.
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    미·중 전략경쟁이 기술 영역으로 심화되면서 반도체는 국제정치 질서 재편의 핵심 쟁점으로 부상하였다. 특히 2018년 이후 미국의 대중 반도체 제재는 특정 기업을 겨냥한 단발성 조치를 넘�...

    미·중 전략경쟁이 기술 영역으로 심화되면서 반도체는 국제정치 질서 재편의 핵심 쟁점으로 부상하였다. 특히 2018년 이후 미국의 대중 반도체 제재는 특정 기업을 겨냥한 단발성 조치를 넘어 장비·소재·설계 전반을 포괄하는 공급망 차단으로 구조화되었으며, 이는 중국에 기술 자립화를 선택이 아닌 생존의 과제로 부상하였다. 이 연구에서는 이를 ‘강요된 자립화’ 국면으로 규정하고, 미국의 제재라는 외생적 충격 속에서 중국의 반도체 국가혁신체제가 어떠한 방식으로 조정·재구성되고 있는지 분석한다.
    핵심 문제의식은 다음과 같다. 제재의 강도가 고도화되었음에도 불구하고 중국 반도체 산업에서 일정한 혁신 성과와 제도적 재편이 관찰된다면, 이는 기존의 중국 모델 논의로 충분히 설명 가능한 현상인가, 아니면 외부 충격에 대응하며 진화하는 새로운 형태의 혁신체제로 이해해야 하는가. 이에 중국의 반도체 자립화 전략을 단순한 산업정책의 성공 또는 실패로 평가하기보다 국가혁신체제가 충격에 대응하며 학습하고 조정되는 과정으로 파악하고자 한다.
    연구를 통해 중국의 반도체 자립화 성과는 단일 지표로 측정되는 완결적 자립이 아니라, 가치사슬 전반에서의 선택적·부분적 자립화임을 확인했다. 구체적으로는 국내 수요를 기반으로 한 레거시 공정과 메모리 분야의 생산 역량 확대, 반도체 장비·소재 부문의 국산화 진전, 설계·시스템 영역에서의 대체 생태계 형성 등이 확인되었다. 이러한 변화는 반도체 자립화율과 같은 단순 지표에는 충분히 반영되지 않지만, 국가혁신체제 차원에서는 기술 축적, 기업 수 증가, 연구개발 투자 및 정책 자원의 재배치 등 혁신 성과의 확장으로 나타났다.
    기업 사례분석에서도 제재 초기 국면에서 ZTE, 푸젠진화 등 일부 기업이 심각한 타격을 입으며 구조적 취약성이 노출된 것과 달리, 이후 제재가 제도화되는 과정에서는 화웨이, SMIC, CXMT, YMTC, 나우라 등 주요 기업을 중심으로 각기 다른 위치에서 혁신 전략이 전개되었다. 이들 기업은 첨단 공정의 즉각적 돌파보다는 레거시·메모리·장비 등 상대적으로 접근 가능한 영역에서 기술 내재화와 생산능력 확장을 추진하며, 국가 정책과 결합된 혁신을 수행했다.
    요컨대, 중국의 반도체 자립화는 단기간의 기술적 도약이라기보다는 제재라는 외부 충격을 흡수하면서 자본 배분, 인력 양성, 기술 축적의 방향을 조정해 온 점진적 재구성 과정으로 이해할 수 있다. 이러한 변화는 혁신체제가 충격에 대응해 유지·조정·전환되는 회복탄력적 과정으로 해석하되, 현시점에서 중국 반도체 자립화의 성패를 단정하지는 않는다. 다만 첨단 공정에서 병목현상이 지속되는 가운데 레거시·메모리·장비 부문을 중심으로 한 중간수준의 자립이 제도화될 가능성을 가장 현실적인 경로로 제시한다.
    이 연구는 중국의 반도체 자립화 전략을 미·중 기술 전략경쟁이라는 국제정치적 맥락 속에서 분석하여 기술이 국가 간 권력 경쟁의 핵심 변수로 부상하는 시대에 국가혁신체제가 어떻게 재편되는지를 보여준다. 이는 중국 모델을 단순한 국가 주도형 발전의 연장선이 아닌, 외부 압력 속에서 조정과 학습을 통해 진화하는 혁신체제로 이해할 필요성을 제기하며, 중국식 발전모델 논의에 대한 이론적 확장을 시도한다는 점에서 의의가 있다.

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    목차 (Table of Contents)

    • 제1장 서 론 1
    • 제1절 연구 배경 및 연구 목적 1
    • 1. 연구 배경 1
    • 2. 연구 목적 5
    • 제2절 분석틀 및 논문의 구성 9
    • 제1장 서 론 1
    • 제1절 연구 배경 및 연구 목적 1
    • 1. 연구 배경 1
    • 2. 연구 목적 5
    • 제2절 분석틀 및 논문의 구성 9
    • 1. 분석틀 9
    • 2. 논문의 구성 15
    • 제2장 선행연구 및 이론적 논의 17
    • 제1절 선행연구 17
    • 1. 기술 전략경쟁과 공급망 18
    • 2. 국가 제도와 정책 도구 21
    • 3. 기업 혁신과 혁신시스템 25
    • 제2절 이론적 논의 29
    • 1. 국가발전론 29
    • 2. 혁신체제론과 국가혁신체제론 37
    • 3. 제도주의 50
    • 제3장 중국 반도체 산업과 글로벌 가치사슬 62
    • 제1절 반도체 산업의 구조와 가치사슬 62
    • 1. 반도체 산업의 특징 62
    • 2. 반도체 글로벌 가치사슬 66
    • 3. 중국의 반도체 시장 69
    • 4. 중국의 반도체 기술 72
    • 제2절 중국 반도체 정책의 전개 과정 77
    • 1. 인프라 구축 77
    • 2. 정책 드라이브와 기술협력 78
    • 3. 체계적 산업정책의 전개 80
    • 제3절 미국의 공급망 압박과 중국의 자립화 86
    • 1. 미중 무역분쟁 전개 86
    • 2. 미국의 기술 제재와 공급망 재편 88
    • 3. 중국의 ‘강요된’ 자립화 94
    • 제4장 중국 반도체 자립화 전략 체계 97
    • 제1절 국가혁신체제의 행위자 97
    • 1. 중앙정부의 기획과 집행 99
    • 2. 지방정부와 지역 클러스터 101
    • 3. 기업과 대학의 참여 102
    • 제2절 자본 정책 103
    • 1. 비효율적 자본 배분 103
    • 2. 자본의 선택과 집중 105
    • 제3절 인력 정책 120
    • 1. 불균형한 인력 공급 120
    • 2. 인력 양성과 혁신 124
    • 제4절 기술 정책 135
    • 1. 원천기술의 한계 135
    • 2. 기술의 내재화와 확산 137
    • 제5절 자본·인력·기술의 정책 헬릭스 148
    • 1. 협력-경쟁-재통제의 순환구조 148
    • 2. 안정성·적응성·변형성의 시너지 150
    • 제5장 강요된 반도체 자립 정책의 투사: 혁신의 사례와 한계 156
    • 제1절 반도체 국가혁신체제의 성과 156
    • 1. 반도체 자립화 수준 157
    • 2. 국가혁신체제의 성과 평가 163
    • 제2절 기업 혁신 사례분석 175
    • 1. 화웨이: 수요 견인형 혁신 175
    • 2. SMIC: 공급 안정형 혁신 180
    • 3. YMTC: 기술 도약형 혁신 184
    • 4. CXMT: 기술 축적형 혁신 186
    • 5. 나우라: 내수 흡수형 혁신 193
    • 제3절 자립화 전략의 딜레마 199
    • 1. 기술 격차와 제품의 질 199
    • 2. 갈라파고스화 200
    • 3. 국가 정책과 기술 발전의 모순 201
    • 제4절 예상 시나리오 204
    • 제6장 결론 209
    • 참 고 문 헌 216
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