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      반도체 메타물질 기반 테라헤르츠 대역 EIT–like 현상의 온도 의존적 특성에 관한 시뮬레이션 연구

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      https://www.riss.kr/link?id=T17377087

      • 저자
      • 발행사항

        서울 : 한국외국어대학교 대학원, 2026

      • 학위논문사항

        학위논문(석사) -- 한국외국어대학교 대학원 , 물리학과 , 2026. 2

      • 발행연도

        2026

      • 작성언어

        한국어

      • 주제어
      • DDC

        530 판사항(22)

      • 발행국(도시)

        서울

      • 기타서명

        Simulation Study on the Temperature-Dependent Characteristics of Terahertz EIT-Like Phenomena in Semiconductor Metamaterials

      • 형태사항

        viii, 69 p. : 삽도 ; 26 cm

      • 일반주기명

        한국외국어대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
        지도교수: 이보화
        참고문헌: p. 59-67

      • UCI식별코드

        I804:11059-200000957601

      • 소장기관
        • 한국외국어대학교 글로벌캠퍼스 도서관 소장기관정보
        • 한국외국어대학교 서울캠퍼스 도서관 소장기관정보
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      국문 초록 (Abstract) kakao i 다국어 번역

      테라헤르츠(THz) 대역은 마이크로파와 적외선 사이에 위치한 전자기파 영역 으로, 분자 진동 및 고체 내부의 에너지 거동을 효과적으로 반영할 수 있어 비파괴 이미징, 고속 무선 통신 등 다양한 분야에 응용할 수 있다. 그러나 고 효율 광원과 검출기의 한계로 인해 오랫동안 ‘테라헤르츠 갭(THz-gap)’ 이라 불리는 기술적 공백이 존재해 왔다. 이러한 한계를 극복하기 위해 인공 구조를 이용해 전자기 응답을 설계하는 메타물질(metamaterial)이 주목받고 있으며, 특히 외부 자극에 따라 응답을 제어할 수 있는 능동형 메타물질 연구 가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 좁은 밴드갭 반도체인 InSb(indium antimonide)를 기반으로 한 메타물질 구조에서 전자기 유도 투과 유사(EIT-like, electromagnetically induced transparency-like) 현상을 구현하고, 온도 변 화에 따른 전자기 응답 특성을 분석하였다. InSb는 온도 변화에 따라 자유 캐 리어 농도와 플라즈마 주파수가 크게 변하는 특성을 가지며, 이를 통해 동일 한 구조에서도 공진 주파수 및 분산 특성을 능동적으로 조절할 수 있다. 전자기 응답 분석을 위해 Drude 모델을 기반으로 InSb의 온도 의존적 유전 율을 적용하였으며, CST Studio Suite 소프트웨어를 이용하여 주파수 영역 시뮬레이션을 수행하였다. 메타물질 단위 셀은 컷 와이어 공진기(cut-wire resonator)와 삼각형 공진기(triangular shaped resonator) 두 개를 배치하 여 각각 어둠 모드(dark mode), 밝음 모드(bright mode)로 구동하게 하였 다. 이를 통해 밝음-어둠 모드 간 결합에 의해 형성되는 EIT-like 투명창의 형성과 변화를 분석하였다. 시뮬레이션 결과, 비대칭 인자가 증가함에 따라 단일 공진 valley가 분리되 며 공진 대역 내부에 EIT-like 투명창이 형성됨을 확인하였다. 비대칭성은 밝음-어둠 모드 결합의 강도를 조절하는 변수로 작용하였으며, 이에 따라 투 명창의 폭, 투과도, Q-factor, 군 지연(group delay)등의 성능이 변화함을 확인하였다. 특히 중간 수준의 비대칭 수준에서 상대적으로 높은 Q-factor가 나타나, 구조 최적화의 중요성을 확인하였다. 온도 의존성 분석 결과, 온도가 증가함에 따라 InSb 기반 메타물질의 공진 주파수가 고주파 방향으로 이동하였다. 또한 온도 변화는 투과 피크(peak)의 세기와 반치전폭(FWHM), 분산 특성에 영향을 미쳐 군 지연과 Q-factor를 조절할 수 있음을 확인하였다. 따라서 본 연구는 구조적 비대칭성과 온도 조절이라는 두 가지 제어 변수를 통해 InSb 기반 메타물질의 EIT-like 주파수, Q-factor, 군 지연 특성을 동 시에 제어할 수 있음을 제시하였다. 이 결과는 향후 능동형 THz 필터, 센서 및 느린 빛(slow-light) 기반 소자 설계를 위한 물리적 이해와 기초 설계 지 침을 제공할 것으로 기대된다.
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      테라헤르츠(THz) 대역은 마이크로파와 적외선 사이에 위치한 전자기파 영역 으로, 분자 진동 및 고체 내부의 에너지 거동을 효과적으로 반영할 수 있어 비파괴 이미징, 고속 무선 통신 등 다...

      테라헤르츠(THz) 대역은 마이크로파와 적외선 사이에 위치한 전자기파 영역 으로, 분자 진동 및 고체 내부의 에너지 거동을 효과적으로 반영할 수 있어 비파괴 이미징, 고속 무선 통신 등 다양한 분야에 응용할 수 있다. 그러나 고 효율 광원과 검출기의 한계로 인해 오랫동안 ‘테라헤르츠 갭(THz-gap)’ 이라 불리는 기술적 공백이 존재해 왔다. 이러한 한계를 극복하기 위해 인공 구조를 이용해 전자기 응답을 설계하는 메타물질(metamaterial)이 주목받고 있으며, 특히 외부 자극에 따라 응답을 제어할 수 있는 능동형 메타물질 연구 가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 좁은 밴드갭 반도체인 InSb(indium antimonide)를 기반으로 한 메타물질 구조에서 전자기 유도 투과 유사(EIT-like, electromagnetically induced transparency-like) 현상을 구현하고, 온도 변 화에 따른 전자기 응답 특성을 분석하였다. InSb는 온도 변화에 따라 자유 캐 리어 농도와 플라즈마 주파수가 크게 변하는 특성을 가지며, 이를 통해 동일 한 구조에서도 공진 주파수 및 분산 특성을 능동적으로 조절할 수 있다. 전자기 응답 분석을 위해 Drude 모델을 기반으로 InSb의 온도 의존적 유전 율을 적용하였으며, CST Studio Suite 소프트웨어를 이용하여 주파수 영역 시뮬레이션을 수행하였다. 메타물질 단위 셀은 컷 와이어 공진기(cut-wire resonator)와 삼각형 공진기(triangular shaped resonator) 두 개를 배치하 여 각각 어둠 모드(dark mode), 밝음 모드(bright mode)로 구동하게 하였 다. 이를 통해 밝음-어둠 모드 간 결합에 의해 형성되는 EIT-like 투명창의 형성과 변화를 분석하였다. 시뮬레이션 결과, 비대칭 인자가 증가함에 따라 단일 공진 valley가 분리되 며 공진 대역 내부에 EIT-like 투명창이 형성됨을 확인하였다. 비대칭성은 밝음-어둠 모드 결합의 강도를 조절하는 변수로 작용하였으며, 이에 따라 투 명창의 폭, 투과도, Q-factor, 군 지연(group delay)등의 성능이 변화함을 확인하였다. 특히 중간 수준의 비대칭 수준에서 상대적으로 높은 Q-factor가 나타나, 구조 최적화의 중요성을 확인하였다. 온도 의존성 분석 결과, 온도가 증가함에 따라 InSb 기반 메타물질의 공진 주파수가 고주파 방향으로 이동하였다. 또한 온도 변화는 투과 피크(peak)의 세기와 반치전폭(FWHM), 분산 특성에 영향을 미쳐 군 지연과 Q-factor를 조절할 수 있음을 확인하였다. 따라서 본 연구는 구조적 비대칭성과 온도 조절이라는 두 가지 제어 변수를 통해 InSb 기반 메타물질의 EIT-like 주파수, Q-factor, 군 지연 특성을 동 시에 제어할 수 있음을 제시하였다. 이 결과는 향후 능동형 THz 필터, 센서 및 느린 빛(slow-light) 기반 소자 설계를 위한 물리적 이해와 기초 설계 지 침을 제공할 것으로 기대된다.

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      목차 (Table of Contents)

      • 제 1 장. 서 론 1
      • 제 1 절. 연구 배경 및 필요성 2
      • (1) Thz 대역의 필요성과 한계 2
      • (2) 반도체 기반 메타물질 4
      • (3) 전자기 유도 투과 유사(EIT-like) 현상의 필요성 6
      • 제 1 장. 서 론 1
      • 제 1 절. 연구 배경 및 필요성 2
      • (1) Thz 대역의 필요성과 한계 2
      • (2) 반도체 기반 메타물질 4
      • (3) 전자기 유도 투과 유사(EIT-like) 현상의 필요성 6
      • 제 2 절. 연구 목표 7
      • 제 2 장. 이론적 배경 8
      • 제 1 절. 메타물질의 개념과 전자기 응답 특성 9
      • (1) 메타물질의 개념과 원리 9
      • (2) 반도체와 금속의 특성 비교 11
      • 제 2 절. 전자기 유도 투과 유사(EIT-like) 현상
      • (1) 전자기 유도 투과 유사(EIT-like) 현상 13
      • (2) 결합된 로렌츠 조화 진동자 모델 17
      • (3) 군 지연(group delay) 및 군 굴절률(group index) 22
      • 제 3 절. Drude 모델 기반 InSb 반도체의 온도 의존적 특성 24
      • (1) Drude 모델 24
      • (2) 밴드갭 및 캐리어 농도 26
      • (3) 충돌 주파수와 충돌 주파수 설정 37
      • 제 3 장. 구조 설계 및 연구 방법 28
      • 제 1 절. 구조 설계 및 단위 셀 29
      • (1) 메타물질 단위 셀 설계 29
      • (2) 주파수 범위 및 조건 설정 31
      • 제 2 절. 파라미터 및 시뮬레이션 조건 32
      • (1) 기하학적 파라미터 32
      • (2) 재료 물성 설정 34
      • 제 3 절. 결과 후처리 및 성능 지표 37
      • (1) S-parameter 추출 및 해석 37
      • (2) 투과, 반사, 흡수 계산 38
      • (3) 군 지연, 군 굴절률, Q-factor 40
      • 제 4 장. 결과 및 토의 42
      • 제 1 절. 비대칭 인자 43
      • (1) 비대칭 인자에 따른 EIT-like 현상 44
      • (2) EIT 피크 주파수, 투과도, Q-factor 47
      • (3) 위상 지연(phase shift) 및 지연 시간(delay time) 49
      • 제 2 절. 온도 의존적 변수
      • (1) 공진 주파수 이동 및 투과 피크 변화 51
      • (2) 군 지연 및 대역폭 53
      • 제 5 장. 결론 54
      • 제 1 절. 결론 55
      • 제 2 절. 연구 의의 56
      • 제 3 절. 향후 연구 방향 58
      • 참고 문헌 59
      • 영문 초록 68
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