본 연구는 코발트를 첨가하지 않은 고니켈계 양극활물질의 결정 구조를 단결정화하고 단결정 양극활물질의 전기화학 특성을 향상시키기 위한 도핑 기술을 규명하기 위한 연구이다. 본 연구...

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충주 : 국립한국교통대학교 일반대학원, 2026
학위논문(석사) -- 국립한국교통대학교 일반대학원 , 나노화학소재공학과 고분자공학전공 , 2026. 2
2026
한국어
충청북도
vii, 72 p. ; 26 cm
지도교수: 孫鍾泰
I804:43010-200000960595
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본 연구는 코발트를 첨가하지 않은 고니켈계 양극활물질의 결정 구조를 단결정화하고 단결정 양극활물질의 전기화학 특성을 향상시키기 위한 도핑 기술을 규명하기 위한 연구이다. 본 연구의 목적은 단결정 양극활물질의 구조적·전기 화학 한계를 개선하기 위한 도핑 기반 연구를 수행하는데 있다. 단결정 양극활물질은 다결정 구조 대비 입계(grain boundary)가 존재하지 않아 미세 균열의 발 생을 억제하고 수명 특성 및 열적 안정성이 우수하다 는 장점을 지닌다. 그러나 고니켈(Co-free Ni-rich) 조성의 경우 충·방전 중 내부 응력 집중과 표면 산소 방출로 인한 구조 불안정성과 전해질 반응성 증가 문제가 여전히 존재한다. 이러한 문제를 해결하기 위해 본 연구에서는 도핑 원소를 도입하여 결정 격자 내 리튬 확산 경로를 확장하고, 전하 전달 저항을 저감함으로써 단결정 양극활물질의 전기화학 반응성을 개선하고자 하였다. 도핑 원소는 이온 반경 및 결합 에너지를 고려하여 구조적 안정성과 리튬 확산도에 영향을 줄 수 있는 조성으로 선정하였다. 합성된 시료는 XRD 분석을 통해 결정구조 변화를, EIS를 통해 확산 계수 변화를 평가하였다. 본 연구의 결과는 도핑이 단결정 양극활물질의 구조적 안정성, Li⁺ 확산 속도 및 반응속도 향상에 기여할 수 있음을 실험적으로 규명하였으며 향후 고속 충·방전용 고니켈 단결정 양극활물질 설계에 기초자료를 제공할 것으로 사료된다.
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