생장법에 따르는 CdTe 반도체의 성질 = (The) Properties of CdTe semicondustor grown by bridgman method and THM

국문 초록 (Abstract)

Bridgman법과 THM(travelling heater method)으로 CdTe 단결정을 생장시키어서 그 전기적 성질을 측정하였다. idgman법 K에서 각각 2.1×10^(5)　Ω·cm, 800cm^(2)/V·sec, 3.8×10^(10)cm^(-3)이며 300K에서는 각각 5.4×10^(3)Ω·cm, 17cm^(2)/V·sec, 6.7×10^(12)cm^(-3)이다. THM으로 생장한 시료는 n형으로 비저항, Hall 이동도, 전자 농도는 77K에서 각각 4.6×10^(3)Ω·cm, 860cm^(2)/V·sec, 1.6×10^(12)cm^(-3)이며, 300K에서 1.6×10Ω·cm, 460cm^(2)/V·sec, 8.7×10^(14)cm^(-3)이다.
Bridgman법으로 생장된 시료의 활성화 에너지는 0.17eV이고, THM법으로 생장된 시료의 활성화 에너지는 0.049eV와 0.26eV이며, DLTS(deep level trasient spectroscopy) 법에 의한 활성화 에너지는 0.50eV이다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

CdTe single crystals are grown by Bridgman method and THM (travelling heater method) and their electrical properties are measured. For the Bridgman crystal, resistivity, Hall mobility and hole concentration are 2.1×10^(5) Ω·cm, 800^cm(2)·/V·sec. 3.8×10^(10)cm^(-2) at 77K, and 5.4×10^(3)Ω·cm, 17cm^(2)·/V·sec., 6.7×10^(12) cm^(-3) at 300K, respectively. In the THM crystal, resistivity, Hall mobility and hole concentration are 4.6×10^(3) Ω·cm, 860 cm^(2)/V·sec 1.6×10&(12) cm^(-3) at 77K and 1.6×10 Ω·cm, 460 cm^(2)·/V·sec, 8.7×10^(14) cm^(-3) at 300K, respectively. The activation energies are 0.17eV for Bridgman sample 0.04geV and 0.26eV in the THM sample; and 0.50eV is obtained for THM crystal using DLTS (deep level transient spectroscopy) measurement.

목차 (Table of Contents)

• 목차 = ⅳ
• 논문개요 = ⅵ
• Ⅰ. 서론 = 1
• Ⅱ. 실험 = 4
• 1. 시료의 생장 = 4
• 1) Bridgman법 = 4
• 2) THM법 = 5
• 2. 측정 시료 준비 = 5
• 3. 비저항과 Hall 효과 측정 = 6
• 4. 비저항의 온도의존성 측정 = 8
• 5. DLTS법에 의한 전자 trap측정 = 9
• Ⅲ. 결과 및 논의 = 10
• 1. Bridgman결정 = 10
• 2. THM결정 = 11
• Ⅳ. 요약 및 결론 = 13
• REFERENCES. = 27
• 영문초록 = 29